公开(公告)号：CN1893109B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200610007380.7

申请日：2006-02-13

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 村上进 ,  吉野胜信 ,  菅野实 ,  谷内滋 ,  小林五月 ,  寺岛健二

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明的目的是减小在半导体基板侧面露出pn结的半导体装置的泄漏电流，提高耐压。本发明的半导体装置，装备具有结晶面是(111)面的两个主表面和多个侧面的半导体基板，侧面具有与面方位(1，-2，1)面等价的6面，具有从一方的主表面高杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域向低杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域内部延伸形成的、从另一方的主表面高杂质浓度的第一导电型的第三半导体区域向所述第一半导体区域内部延伸形成的、在一方的主表面上欧姆连接的第一电极、和在另一方的主表面上欧姆连接的第二电极，第二半导体区域和第一半导体区域的结合部在所述侧面上露出。

公开(公告)号：CN1163488A

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN97102374.3

申请日：1997-01-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 森岛慎 ,  铃木和弘 ,  村上进 ,  小野濑保夫

IPC: H01L29/68

Abstract: 半导体器件，具有：包括主表面和相对表面的半导体衬底，至少一个部分暴露于衬底侧表面的p-n结，以及具有两个或更多个涂敷于所述半导体衬底侧表面的钝化膜的多层钝化结构，所述半导体衬底表面上提供的第一钝化膜和所述第一钝化膜表面上提供的第二钝化膜之间界面附近感应的界面极化电荷Qr(库/厘米2)满足1.6×10-8≥｜Qr｜，所述第一钝化膜的电导率σ1和所述第二钝化膜的电导率σ2满足0.05≤σ2/σ1≤10。从而避免感应出电荷密度的界面极化以限制半导体器件的漏电源的增加或变化。

公开(公告)号：CN1893109A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610007380.7

申请日：2006-02-13

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 村上进 ,  吉野胜信 ,  菅野实 ,  谷内滋 ,  小林五月 ,  寺岛健二

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明的目的是减小在半导体基板侧面露出pn结的半导体装置的泄漏电流，提高耐压。本发明的半导体装置，装备具有结晶面是(111)面的两个主表面和多个侧面的半导体基板，侧面具有与面方位(1，－2，1)面等价的6面，具有从一方的主表面高杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域向低杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域内部延伸形成的、从另一方的主表面高杂质浓度的第一导电型的第三半导体区域向所述第一半导体区域内部延伸形成的、在一方的主表面上欧姆连接的第一电极、和在另一方的主表面上欧姆连接的第二电极，第二半导体区域和第一半导体区域的结合部在所述侧面上露出。

公开(公告)号：CN1090823C

公开(公告)日：2002-09-11

申请号：CN96102588.3

申请日：1996-01-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 村上进 ,  嶋田智 ,  鹈饲征一 ,  高桥幸夫 ,  清水修一

IPC: H01L49/00 ,  G01L9/06

CPC classification number: G01L9/0054

Abstract: 本发明提出了一种采用多个串联连接的半导体压阻规元件的半导体混成传感器。压阻元件相分隔，从而使具有相同阻值的电阻元件的高电势端和其他电阻元件的衬底保持相同的电势。各个用作电阻元件的半导体区域与衬底之间的电势差相等。

公开(公告)号：CN1135039A

公开(公告)日：1996-11-06

申请号：CN96102588.3

申请日：1996-01-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 村上进 ,  田智 ,  鹈饲征一 ,  高桥幸夫 ,  清水修一

IPC: G01L9/06 ,  G01L13/00

CPC classification number: G01L9/0054

Abstract: 本发明提出了一种采用多个串联连接的半导体压阻规元件的半导体混成传感器。压阻元件相分隔，从而使具有相同阻值的电阻元件的高电势端和其他电阻元件的衬底保持相同的电势。各个用作电阻元件的半导体区域与衬底之间的电势差相等。