公开(公告)号：CN1036076A

公开(公告)日：1989-10-04

申请号：CN88108847

申请日：1988-11-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 嶋田智 ,  清水康司 ,  鵜征一

IPC: G01L13/06

CPC classification number: G01L19/147 ,  G01L13/025 ,  G01L19/0092 ,  G01L19/0645 ,  G01L19/148

Abstract: 本发明给出了一种能进行适当的静压补偿的差压传感器。该差压传感器包括有一个半导体敏感基片和一个半导体敏感基片牢固地装置在其上的固定用底座，其特征在于利用敏感基片和底座的杨氏弹性模置的不同来检测流体的差压，对敏感基片的一侧或两侧进行处理以形成一比其环绕着它的部位更薄的部位，从而使由静压荷载所产生的峰值应力出现在这一较薄部位中，并检测形成在这一较薄薄部位处的压阻型力敏电阻的阻抗变化。

公开(公告)号：CN1090823C

公开(公告)日：2002-09-11

申请号：CN96102588.3

申请日：1996-01-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 村上进 ,  嶋田智 ,  鹈饲征一 ,  高桥幸夫 ,  清水修一

IPC: H01L49/00 ,  G01L9/06

CPC classification number: G01L9/0054

Abstract: 本发明提出了一种采用多个串联连接的半导体压阻规元件的半导体混成传感器。压阻元件相分隔，从而使具有相同阻值的电阻元件的高电势端和其他电阻元件的衬底保持相同的电势。各个用作电阻元件的半导体区域与衬底之间的电势差相等。