公开(公告)号：CN1051644C

公开(公告)日：2000-04-19

申请号：CN95107632.9

申请日：1995-06-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中村正行 ,  宫沢一幸 ,  岩井秀俊

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/105

Abstract: P－型阱区中形成存储器阵列部分，此阵列中的动态存储单元排成矩阵状，给该P－型阱区加以绝对值减小了的反向偏压；最好地适应于更新特性。考虑到高速工作，则给形成外围电路之N－沟道MOSFET的P－阱区加上一个反向偏压，使其绝对值比加给存储器阵列部分P－型阱的偏压绝对值小。考虑到负尖峰信号电压，给形成与外部接线端相连之输入电路或输出电路的N－沟道MOSEFET的P－型阱部分加以绝对值大的反偏压。

公开(公告)号：CN1128902A

公开(公告)日：1996-08-14

申请号：CN95107632.9

申请日：1995-06-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中村正行 ,  宫沢一幸 ,  岩井秀俊

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/105

Abstract: P-型阱区中形成存储器阵列部分，此阵列中的动态存储单元排成矩阵状，给该P-型阱区加以绝对值减小了的反向偏压；最好地适应于更新特性。考虑到高速工作，则给形成外围电路之N-沟道MOSFET的P-阱区加上一个反向偏压，使其绝对值比加给存储器阵列部分P-型阱的偏压绝对值小。考虑到负尖峰信号电压，给形成与外部接线端相连之输入电路或输出电路的N-沟道MOSEFET的P-型阱部分加以绝对值大的反偏压。