公开(公告)号：CN100477160C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610146568.X

申请日：2006-11-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 林宽之 ,  大岛隆文 ,  青木英雄

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1026 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，防止具有空气隙(Air-Gap)结构的多层镶嵌布线中的、偏移通孔的金属形成不良。在连接孔的形成区域，使用可有选择地除去的绝缘膜形成牺牲膜柱(42)之后，在相邻的镶嵌布线间形成具有空气隙(Air-Gap)(45)的层间绝缘膜(44)，由此完全分离通孔和空气隙(45)。根据本发明，能够形成具有可靠性高的通孔连接、能减小因空气隙引起的寄生电容的多层嵌入布线。

公开(公告)号：CN1967800A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610146568.X

申请日：2006-11-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 林宽之 ,  大岛隆文 ,  青木英雄

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1026 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，防止具有空气隙(Air－Gap)结构的多层镶嵌布线中的、偏移通孔的金属形成不良。在连接孔的形成区域，使用可有选择地除去的绝缘膜形成牺牲膜柱(42)之后，在相邻的镶嵌布线间形成具有空气隙(Air－Gap)(45)的层间绝缘膜(44)，由此完全分离通孔和空气隙(45)。根据本发明，能够形成具有可靠性高的通孔连接、能减小因空气隙引起的寄生电容的多层嵌入布线。