公开(公告)号：CN103314462B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280004532.1

申请日：2012-01-18

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 小松隆宏 ,  大内晓 ,  山田隆太 ,  藤田浩史 ,  藤村慎也 ,  西山诚司 ,  年代健一 ,  菅野恒 ,  矢田修平

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L27/3279 ,  H01L27/329 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种有机EL显示面板和有机EL显示装置，能够用低电压进行驱动，并且能够实现优异的发光效率。具体而言，在基板（10）上依次形成第1电极（20）及辅助布线（30）、空穴注入层（40）、功能层以及第2电极（90）。所述空穴注入层（40）和所述第2电极（90）分别连续地形成在所述第1电极（20）的上方以及所述辅助布线（30）的上方。所述第2电极（90）和所述辅助布线（30）经由所述空穴注入层（40）而电连接。空穴注入层（40）构成为包含氧化钨，且形成为厚度为2nm以上，使得在其电子态中，在比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内具有占有能级。

公开(公告)号：CN103283054B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201180064123.6

申请日：2011-01-21

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 大内晓 ,  山田隆太 ,  小松隆宏 ,  藤村慎也 ,  藤田浩史 ,  年代健一 ,  菅野恒 ,  矢田修平

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/55

Abstract: 本发明提供能耐受有机EL显示面板的量产工艺，并且由于优异的空穴注入效率而能期待实现低电压驱动且高发光效率的有机EL元件。具体地讲，在基板（10）的一面依次层叠阳极（2）、空穴注入层（4）、缓冲层（6A）、发光层（6B）、阴极（8），构成有机EL元件（1）。空穴注入层（4）为以规定的成膜条件成膜的膜厚2nm以上的氧化钨层，并且，在其电子态中，在比价电子带中最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能的范围内存在占有能级。由此，降低阳极（2）与空穴注入层（4）之间、以及空穴注入层（4）与缓冲层（6A）之间的空穴注入势垒。

公开(公告)号：CN103038909B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201080068375.1

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 西山诚司 ,  大内晓 ,  小松隆宏 ,  冢本义朗 ,  藤村慎也 ,  藤田浩史

IPC: H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5369

Abstract: 本发明提供一种采用了能得到良好的空穴传导效率的空穴注入层的有机EL元件及其制造方法。有机EL元件具备：功能层（6），其配置在阳极（2）与阴极（8）之间，由包括使用有机材料形成的发光层（6B）的一层或者多层构成；空穴注入层（4），其配置在阳极（2）与功能层（6）之间；以及堤（5），其规定发光层（6B），空穴注入层（4）包含氧化钨，构成氧化钨的钨元素以六价的状态以及比该六价低的价数的状态包含在空穴注入层（4）中，并且，空穴注入层（4）包含粒径为纳米级大小的氧化钨的结晶，在由堤（5）规定的区域，空穴注入层（4）形成为凹陷构造，所述凹陷构造为空穴注入层（4）的功能层侧（6）的表面的一部分比其它部分更靠阳极（2）一侧的构造，凹陷构造的凹部的边缘（4c）被堤（5）的一部分覆盖。

公开(公告)号：CN103053042B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201080068394.4

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 原田健史 ,  西山诚司 ,  小松隆宏 ,  竹内孝之 ,  藤村慎也 ,  大内晓 ,  藤田浩史 ,  冢本义朗

IPC: H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/50 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5369

Abstract: 提供采用了可得到良好的空穴传导效率的空穴注入层的有机EL元件。具备配置于阳极（2）与阴极（8）之间且由包括使用有机材料形成的发光层（6B）的1层或多层构成的功能层（6）、配置于阳极（2）与功能层（6）之间的空穴注入层（4）和规定发光层（6B）的堤栏（5）；空穴注入层（4）包含氧化钨；构成氧化钨的钨元素以6价的状态及比该6价低的化合价的状态包含于空穴注入层（4）；且空穴注入层（4）包含粒径为纳米量级的大小的氧化钨的晶体；在由堤栏（5）规定的区域，功能层（6）侧的表面的一部分形成为比其他的部分位于靠阳极（2）侧的凹入构造；凹入构造的凹部的内面与功能层（6）接触。

公开(公告)号：CN103026523B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201080068298.X

申请日：2010-07-30

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 藤村慎也 ,  大内晓 ,  小松隆宏 ,  藤田浩史 ,  冢本义朗

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L51/56 ,  H05B33/22

Abstract: 提供采用了可得到良好的空穴传导效率的空穴注入层的有机EL元件。有机EL元件（1）在阳极（2）与阴极（6）之间，具有包含有机材料而成的功能层（4、5）和用于向所述功能层（4、5）注入空穴的空穴注入层（3），空穴注入层（3）为包含金属氧化物的金属氧化物膜；构成金属氧化物的金属元素以该金属元素能够取得的最大化合价的状态以及比该最大化合价低的化合价的状态包含于金属氧化物膜；并且金属氧化物膜包含粒径为纳米量级的大小的金属氧化物的晶体（9）。

公开(公告)号：CN103503190B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201380001017.2

申请日：2013-03-14

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 藤田浩史 ,  冢本义朗 ,  藤村慎也 ,  大内晓

IPC: H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L51/5096 ,  H01L51/52 ,  H01L2251/552

Abstract: 一种有机EL元件（1），具备：阳极（2）和阴极（6）；缓冲层（4）；和设置于阳极（2）和缓冲层（4）之间，且包含能取得作为第1价数的+3以及作为第2价数的+2的Ni的氧化物NiO的空穴注入层（3）。在此，Ni3+的氧化物的导电性比Ni2+的氧化物的导电性大。另外，在空穴注入层（3）中，Ni3+的原子数相对于Ni2+的原子数之比为60%以上。

公开(公告)号：CN103620805B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180071939.1

申请日：2011-07-15

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 山田隆太 ,  大内晓 ,  小松隆宏 ,  藤村慎也 ,  藤田浩史

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在提高空穴注入特性的耐溶解性的同时，发挥良好的空穴注入效率，从而可望具有优异的发光特性的有机发光元件。在基板10的一面上依次层叠阳极2、空穴注入层4、缓冲层6A、发光层6B、阴极8而构成有机EL元件1。发光区域被堤5分区。空穴注入层4是以规定条件成膜的、含有氧缺失部分的氧化钨层，在电子状态中在比价电子带最低的结合能还低1.8～3.6eV的结合能的范围内存在占有能级。成膜后在200℃以上230℃以下的温度、空气中烧成15分钟以上45分钟以下，能够使膜密度增大，提高对堤形成工序时中使用的蚀刻液、清洗液等的耐溶解性。