发光元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN103646959B

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201310591394.8

    申请日:2010-02-09

    Abstract: 本发明的目的在于提供对发光层高精细地进行图案形成且可以低成本地制造的发光元件及其制造方法,为了达到该目的,关于将第1电极(2)、电荷注入输送层(4)、发光层(6)、第2电极(8)按该顺序层叠且至少对所述发光层(6)通过堤栏(5)进行规定的发光元件,设定为下述结构的发光元件:所述堤栏(5)至少其表面为拨液性,另一方面,所述电荷注入输送层(4)包含与所述堤栏(5)的表面相比较具有亲液性的金属化合物;并且所述电荷注入输送层(4)在以堤栏(5)规定的区域形成为与堤栏底面(5a)的水平相比下沉的凹入结构。

    有机发光元件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103620805B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201180071939.1

    申请日:2011-07-15

    CPC classification number: H01L51/5088 H01L51/5215 H01L51/56 H01L2251/303

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种在提高空穴注入特性的耐溶解性的同时,发挥良好的空穴注入效率,从而可望具有优异的发光特性的有机发光元件。在基板10的一面上依次层叠阳极2、空穴注入层4、缓冲层6A、发光层6B、阴极8而构成有机EL元件1。发光区域被堤5分区。空穴注入层4是以规定条件成膜的、含有氧缺失部分的氧化钨层,在电子状态中在比价电子带最低的结合能还低1.8~3.6eV的结合能的范围内存在占有能级。成膜后在200℃以上230℃以下的温度、空气中烧成15分钟以上45分钟以下,能够使膜密度增大,提高对堤形成工序时中使用的蚀刻液、清洗液等的耐溶解性。

    有机EL元件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103053041B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201080068393.X

    申请日:2010-08-06

    CPC classification number: H01L51/5088 H01L51/5209 H01L51/5218 H01L2251/5369

    Abstract: 本发明提供一种有机EL元件,能够耐受有机EL显示面板的量产工艺,且能实现优异的空穴注入效率,在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言,在基板(10)的一面依次层叠阳极(2)、空穴注入层(3)、缓冲层(6A)、发光层(6B)、阴极(8)而构成有机EL元件(1000)。在空穴注入层(3)的表面形成堤(12)以使得包围所述缓冲层(6A)以上的结构。空穴注入层(3)通过溅射成膜氧化钨薄膜来形成。此时,将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8~3.6eV的结合能区域内存在占有能级,降低对所述缓冲层(6A)的空穴注入势垒。在空穴注入层(3)的上面形成凹部(4a),使该凹部的内面与功能层(缓冲层(6A)或发光层(6B))接触。

    有机EL元件
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103026523B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201080068298.X

    申请日:2010-07-30

    CPC classification number: H01L51/5088 H01L51/56 H05B33/22

    Abstract: 提供采用了可得到良好的空穴传导效率的空穴注入层的有机EL元件。有机EL元件(1)在阳极(2)与阴极(6)之间,具有包含有机材料而成的功能层(4、5)和用于向所述功能层(4、5)注入空穴的空穴注入层(3),空穴注入层(3)为包含金属氧化物的金属氧化物膜;构成金属氧化物的金属元素以该金属元素能够取得的最大化合价的状态以及比该最大化合价低的化合价的状态包含于金属氧化物膜;并且金属氧化物膜包含粒径为纳米量级的大小的金属氧化物的晶体(9)。

    有机EL元件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103053040B

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201080068374.7

    申请日:2010-08-06

    Abstract: 本发明提供一种有机EL元件,能够耐受有机EL显示面板的量产工艺,且能实现优异的空穴注入效率,在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言,在基板(1)的一面依次层叠阳极(2)、空穴注入层(4)、缓冲层(6A)、发光层(6B)、阴极(8)而构成有机EL元件(1000)。在空穴注入层(4)的表面形成堤(5)以使得包围所述缓冲层(6A)以上的结构。空穴注入层(4)通过溅射成膜氧化钨薄膜而形成。此时,将氧化钨成膜为在其电子态中在比价电子带最低的结合能低1.8~3.6eV的结合能区域内存在占有能级,降低相对于所述缓冲层的空穴注入势垒。在此,在由所述堤(5)规定的区域形成所述功能层侧的表面的一部分与其他部分相比更位于所述阳极一侧的凹陷构造,由所述堤的一部分覆盖所述凹陷构造的凹部的边缘。

    发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法

    公开(公告)号:CN102308404B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201080007024.X

    申请日:2010-02-09

    Abstract: 本发明的目的在于提供对发光层高精细地进行图案形成且可以低成本地制造的发光元件,为了达到该目的,关于将第1电极(2)、电荷注入输送层(4)、发光层(6)、第2电极(8)按该顺序层叠且至少对所述发光层(6)通过堤栏(5)进行规定的发光元件,所述电荷注入输送层(4)具有凹入部(4a),所述凹入部(4a)具备与所述发光层(6)的底面(6a)接触的内底面(4c)和与所述内底面(4c)连续的内侧面(4d);所述凹入部(4a)的内侧面(4d)具备与所述内底面(4c)连续的下部侧的端缘和与所述下部侧的端缘连续的上部侧的端缘(4e);所述凹入部(4a)的内侧面(4d)在所述上部侧的端缘(4e)处是与所述堤栏(5)的所述发光层(6)侧的下端缘(5d)一致的形状或与所述堤栏(5)的底面(5a)接触的形状,且与所述发光层(6)的侧面(6b)的至少一部分接触。

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