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公开(公告)号：CN109923242A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780067864.7
申请日：2017-11-01
Applicant: 株式会社日本多宁 , 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供能够得到在抑制pH的上升的同时具有充分的溶解氢量的电解氢水的固体高分子膜电极。本发明涉及一种固体高分子膜电极，其是用于生成电解水的固体高分子膜电极，其中，上述固体高分子膜电极具有固体高分子膜和设置于上述固体高分子膜的正反面的含有铂族金属的催化剂层，上述固体高分子膜为烃类阳离子交换膜，并且每单位面积的离子交换容量为0.002mmol/cm2以上且0.030mmol/cm2以下。
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公开(公告)号：CN109923242B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201780067864.7
申请日：2017-11-01
Applicant: 株式会社日本多宁 , 田中贵金属工业株式会社
IPC: C25B11/052 , C25B1/04 , C25B9/23 , C25B11/081 , C25B11/055 , C25B11/031
Abstract: 本发明的课题在于提供能够得到在抑制pH的上升的同时具有充分的溶解氢量的电解氢水的固体高分子膜电极。本发明涉及一种固体高分子膜电极，其是用于生成电解水的固体高分子膜电极，其中，上述固体高分子膜电极具有固体高分子膜和设置于上述固体高分子膜的正反面的含有铂族金属的催化剂层，上述固体高分子膜为烃类阳离子交换膜，并且每单位面积的离子交换容量为0.002mmol/cm2以上且0.030mmol/cm2以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113474493B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202080016430.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C25D7/00 , C25B11/031 , C25B11/052 , C25B11/081 , C25B11/097
Abstract: 在多孔导电性基材上形成有金属覆膜的多孔体中，兼顾形成金属覆膜的金属的使用量的减少和多孔导电性基材与金属覆膜之间的氧化覆膜的抑制。一种多孔体，其具备具有连通的空孔和形成所述空孔的骨架的多孔导电性基材以及设置在所述骨架的表面的一部分上的金属覆膜，其中，所述多孔导电性基材的孔隙率为10％以上，所述金属覆膜的70质量％以上存在于所述多孔体的自一个表面起的厚度方向上30％以内的区域，所述骨架与所述金属覆膜之间的氧化覆膜的厚度至少在一部分位置为2nm以下。
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公开(公告)号：CN103429769B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201280012850.2
申请日：2012-03-07
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 同和金属矿业有限公司
CPC classification number: C22B11/02 , C22B11/021 , Y02P10/214
Abstract: 本发明提供使铜相中存在的铂族元素中的规定元素在铜相内偏在的方法。在含有至少包含铑的铂族元素的熔融铜相中进一步添加铜而使熔融铜相的铑的分配比增加。
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公开(公告)号：CN113474493A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080016430.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: C25D7/00 , C25B11/031 , C25B11/052 , C25B11/081 , C25B11/097
Abstract: 在多孔导电性基材上形成有金属覆膜的多孔体中，兼顾形成金属覆膜的金属的使用量的减少和多孔导电性基材与金属覆膜之间的氧化覆膜的抑制。一种多孔体，其具备具有连通的空孔和形成所述空孔的骨架的多孔导电性基材以及设置在所述骨架的表面的一部分上的金属覆膜，其中，所述多孔导电性基材的孔隙率为10％以上，所述金属覆膜的70质量％以上存在于所述多孔体的自一个表面起的厚度方向上30％以内的区域，所述骨架与所述金属覆膜之间的氧化覆膜的厚度至少在一部分位置为2nm以下。
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公开(公告)号：CN106062223A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580008572.7
申请日：2015-02-12
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 株式会社日本PGM , 同和金属矿业株式会社
CPC classification number: C22B9/103 , C22B7/00 , C22B11/00 , C22C1/02 , C22C9/00 , G01N23/223 , G01N23/2251 , G01N2223/076
Abstract: 本发明提供一种含有Ru的Cu合金的均质化方法，其特征在于,具有在至少含有Ru的Cu合金中添加选自由Fe、Ni、FeSi和Si组成的组中的至少一种物质而使在所述Cu合金中偏析的Ru均质化的工序。该均质化方法使Ru在含有Ru的Cu合金中的溶解度提高，从而能够对该Cu合金中的贵金属含量进行准确的测定。
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公开(公告)号：CN103429769A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280012850.2
申请日：2012-03-07
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 同和金属矿业有限公司
CPC classification number: C22B11/02 , C22B11/021 , Y02P10/214
Abstract: 本发明提供使铜相中存在的铂族元素中的规定元素在铜相内偏在的方法。在含有至少包含铑的铂族元素的熔融铜相中进一步添加铜而使熔融铜相的铑的分配比增加。
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