公开(公告)号：CN109923242A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780067864.7

申请日：2017-11-01

Applicant: 株式会社日本多宁 ,  田中贵金属工业株式会社

Inventor： 山内悠平 ,  雨森大治 ,  福田宪二 ,  吉江清敬 ,  松冈功 ,  有本佐 ,  上田哲也 ,  今井顺一 ,  佐藤智和

IPC: C25B13/08 ,  B01J31/08 ,  C02F1/46 ,  C25B1/10 ,  C25B9/00 ,  C25B11/02 ,  C25B11/08

Abstract: 本发明的课题在于提供能够得到在抑制pH的上升的同时具有充分的溶解氢量的电解氢水的固体高分子膜电极。本发明涉及一种固体高分子膜电极，其是用于生成电解水的固体高分子膜电极，其中，上述固体高分子膜电极具有固体高分子膜和设置于上述固体高分子膜的正反面的含有铂族金属的催化剂层，上述固体高分子膜为烃类阳离子交换膜，并且每单位面积的离子交换容量为0.002mmol/cm2以上且0.030mmol/cm2以下。

公开(公告)号：CN109923242B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201780067864.7

申请日：2017-11-01

Applicant: 株式会社日本多宁 ,  田中贵金属工业株式会社

Inventor： 山内悠平 ,  雨森大治 ,  福田宪二 ,  吉江清敬 ,  松冈功 ,  有本佐 ,  上田哲也 ,  今井顺一 ,  佐藤智和

IPC: C25B11/052 ,  C25B1/04 ,  C25B9/23 ,  C25B11/081 ,  C25B11/055 ,  C25B11/031

Abstract: 本发明的课题在于提供能够得到在抑制pH的上升的同时具有充分的溶解氢量的电解氢水的固体高分子膜电极。本发明涉及一种固体高分子膜电极，其是用于生成电解水的固体高分子膜电极，其中，上述固体高分子膜电极具有固体高分子膜和设置于上述固体高分子膜的正反面的含有铂族金属的催化剂层，上述固体高分子膜为烃类阳离子交换膜，并且每单位面积的离子交换容量为0.002mmol/cm2以上且0.030mmol/cm2以下。

公开(公告)号：CN113302342B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN201980086633.X

申请日：2019-12-26

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 有本佐 ,  今井顺一 ,  齐藤润

IPC: C25D7/00 ,  C22B7/00 ,  C22B11/00 ,  C25B11/052 ,  C25B11/081 ,  C25D7/06 ,  C25D21/00

Abstract: 本发明涉及一种金属板材，其具备多个被镀部、框部以及将被镀部与框部联结的联结部，多个被镀部、框部和联结部由金属构成。

公开(公告)号：CN113474493B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202080016430.6

申请日：2020-02-28

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 齐藤润 ,  有本佐 ,  上田哲也

IPC: C25D7/00 ,  C25B11/031 ,  C25B11/052 ,  C25B11/081 ,  C25B11/097

Abstract: 在多孔导电性基材上形成有金属覆膜的多孔体中，兼顾形成金属覆膜的金属的使用量的减少和多孔导电性基材与金属覆膜之间的氧化覆膜的抑制。一种多孔体，其具备具有连通的空孔和形成所述空孔的骨架的多孔导电性基材以及设置在所述骨架的表面的一部分上的金属覆膜，其中，所述多孔导电性基材的孔隙率为10％以上，所述金属覆膜的70质量％以上存在于所述多孔体的自一个表面起的厚度方向上30％以内的区域，所述骨架与所述金属覆膜之间的氧化覆膜的厚度至少在一部分位置为2nm以下。

公开(公告)号：CN113302342A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201980086633.X

申请日：2019-12-26

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 有本佐 ,  今井顺一 ,  齐藤润

IPC: C25D7/00 ,  C22B7/00 ,  C22B11/00 ,  C25B11/052 ,  C25B11/081 ,  C25D7/06 ,  C25D21/00

Abstract: 本发明涉及一种金属板材，其具备多个被镀部、框部以及将被镀部与框部联结的联结部，多个被镀部、框部和联结部由金属构成。

公开(公告)号：CN113474493A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202080016430.6

申请日：2020-02-28

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 齐藤润 ,  有本佐 ,  上田哲也

IPC: C25D7/00 ,  C25B11/031 ,  C25B11/052 ,  C25B11/081 ,  C25B11/097

Abstract: 在多孔导电性基材上形成有金属覆膜的多孔体中，兼顾形成金属覆膜的金属的使用量的减少和多孔导电性基材与金属覆膜之间的氧化覆膜的抑制。一种多孔体，其具备具有连通的空孔和形成所述空孔的骨架的多孔导电性基材以及设置在所述骨架的表面的一部分上的金属覆膜，其中，所述多孔导电性基材的孔隙率为10％以上，所述金属覆膜的70质量％以上存在于所述多孔体的自一个表面起的厚度方向上30％以内的区域，所述骨架与所述金属覆膜之间的氧化覆膜的厚度至少在一部分位置为2nm以下。