衬底处理方法及衬底处理装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120072641A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202411729639.3

    申请日:2024-11-28

    Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法包含如下工序:臭氧气体蚀刻工序,一边对衬底(W)进行加热一边将作为蚀刻气体的臭氧气体供给到形成在衬底(W)的表面的非晶形碳膜(AC),由此在衬底(W)的表面干燥的状态下对非晶形碳膜(AC)进行蚀刻;以及硫酸臭氧蚀刻工序,在将臭氧气体供给到非晶形碳膜(AC)后,将溶解有作为溶解气体的臭氧气体的硫酸即含臭氧硫酸供给到非晶形碳膜(AC),由此对非晶形碳膜(AC)进行蚀刻。

    基板处理装置及基板处理方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116598224A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310109141.6

    申请日:2023-02-14

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法,该基板处理装置具备:药液喷嘴(31),其包括朝向基板(W)的上表面内的目标位置(P1)沿相对于基板(W)的上表面倾斜的药液吐出方向(D1)吐出药液的药液吐出口(95);飞沫遮蔽件(101),其包括与基板(W)的上表面直接对置的遮蔽面(104),遮蔽面(104)俯视下与目标位置(P1)重叠,当从下观察药液喷嘴(31)和遮蔽面(104)时,药液吐出口(95)的任意部分都配置于遮蔽面(104)的外缘的外侧或遮蔽面(104)的外缘上;以及喷嘴移动单元(38),其使药液喷嘴(31)与飞沫遮蔽件(101)一起移动。

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