公开(公告)号：CN102144175A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200880131016.9

申请日：2008-09-10

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 古井真悟 ,  吉牟田利典 ,  铃木准一 ,  渡谷浩司 ,  森田谕

IPC: G01T1/24 ,  H01L27/14

CPC classification number: G01T1/244 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14676 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，对于覆盖在放射线感应型半导体层、载流子选择性高电阻膜、共用电极的露出面上的固化性合成树脂膜，在制作该固化性合成树脂膜的工序中使用不混入氯的材料。由此，就会防止载流子选择性高电阻膜和半导体层因氯离子而形成针孔和孔洞。此外，在共用电极的露出面与固化性合成树脂膜之间，配备不使离子性物质透过的保护膜，也可以防止载流子选择性高电阻膜被固化性合成树脂膜中所含的氯离子腐蚀，防止半导体层中暗电流的增加。

公开(公告)号：CN102144175B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN200880131016.9

申请日：2008-09-10

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 古井真悟 ,  吉牟田利典 ,  铃木准一 ,  渡谷浩司 ,  森田谕

IPC: G01T1/24 ,  H01L27/14

CPC classification number: G01T1/244 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14676 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，对于覆盖在放射线感应型半导体层、载流子选择性高电阻膜、共用电极的露出面上的固化性合成树脂膜，在制作该固化性合成树脂膜的工序中使用不混入氯的材料。由此，就会防止载流子选择性高电阻膜和半导体层因氯离子而形成针孔和孔洞。此外，在共用电极的露出面与固化性合成树脂膜之间，配备不使离子性物质透过的保护膜，也可以防止载流子选择性高电阻膜被固化性合成树脂膜中所含的氯离子腐蚀，防止半导体层中暗电流的增加。

公开(公告)号：CN102369458A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201080014680.2

申请日：2010-03-26

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 古井真悟 ,  吉牟田利典 ,  铃木准一 ,  渡谷浩司 ,  森田谕

IPC: G01T1/24 ,  H01L27/14 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L27/14676 ,  G01T1/244 ,  H01L31/085

Abstract: 本发明提供一种放射线检测器以及具备该放射线检测器的放射线摄影装置，本发明的结构依次层叠有有源矩阵基板(4)、非晶硒层(1)、高电阻层(3)、金电极层(2)、绝缘层(5)以及辅助板(6)。以提供不使辅助板(6)蓄积电荷来防止在非晶半导体层上形成空隙和在具有载流子选择性的高电阻膜(3)上形成针孔的放射线检测器为目的，在实施例1中，在绝缘层(5)中添加无机阴离子交换体。无机阴离子交换体吸附绝缘层(5)中的氯化物离子，因此能够防止氯化物离子被吸引到金电极层(2)而引起X射线检测器(10)被破坏。