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公开(公告)号：CN108352293B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201580084541.X
申请日：2015-11-11
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01J49/42
Abstract: 本发明中，配置在主电极部(31)之前的前置电极部(32)为两级构成，对前级前置电极部(32A)及后级前置电极部(32B)施加与施加至主电极部(31)的杆电极的高频电压同频率、且振幅随着去往前方而阶段性地减小的高频电压。该高频电压的振幅越小，离子的接收度越大，因此，通过酌情调整振幅，能够改善入射的离子束的发射度与接收度的匹配。离子入射至前置电极部(32)时的透过率以及离子从前置电极部(32)入射至主电极部(31)时的透过率对四极杆滤质器(3)整体的离子透过率的影响要高于前置电极部(32)内的透过率。因此，通过改善这些透过率，能够提高四极杆滤质器(3)整体的离子透过率。
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公开(公告)号：CN1272644C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN01144849.0
申请日：2001-12-28
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G02B5/18
CPC classification number: G02B5/1866 , G02B5/1809 , G02B5/1852 , G02B5/1857 , G02B5/1861 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明光栅的刻槽横截面不是薄层形状，而是例如类似正弦波或锯齿形，刻槽底部形状类似平面形。在刻槽周期与从近红外到红外的所用波长为相同数量级的范围内，本发明光栅比相关技术中的全息光栅和小阶梯光栅的光谱性能更出色(在较宽的波长范围内具有平衡的高效率)。当制造本发明光栅的复制品时，由于刻槽深宽比小，因此刻槽彼此间的啮合力也小，由于刻槽底部大，因此脱模剂能充分到达刻槽底部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1428617A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN01144849.0
申请日：2001-12-28
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G02B5/18
CPC classification number: G02B5/1866 , G02B5/1809 , G02B5/1852 , G02B5/1857 , G02B5/1861 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明光栅的刻槽横截面不是薄层形状，而是例如类似正弦波或锯齿形，刻槽底部形状类似平面形。在刻槽周期与从近红外到红外的所用波长为相同数量级的范围内，本发明光栅比相关技术中的全息光栅和小阶梯光栅的光谱性能更出色(在较宽的波长范围内具有平衡的高效率)。当制造本发明光栅的复制品时，由于刻槽深宽比小，因此刻槽彼此间的啮合力也小，由于刻槽底部大，因此脱模剂能充分到达刻槽底部。
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公开(公告)号：CN114720497A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210002997.9
申请日：2022-01-04
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/223
Abstract: 分光元件(12)及检测器(14)沿着一个罗兰圆(104)的圆周配设。沿着罗兰圆(104)的分光元件(12)的分光面的长度短于照射至试样支架(108)的激发射线的照射面在罗兰圆(104)的面内的长度。配设有分光元件(12)和试样支架(108)使得通过分光元件(12)的共通的分光范围对特征X射线组进行分光。
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公开(公告)号：CN108352293A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201580084541.X
申请日：2015-11-11
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01J49/42
Abstract: 本发明中，配置在主电极部(31)之前的前置电极部(32)为两级构成，对前级前置电极部(32A)及后级前置电极部(32B)施加与施加至主电极部(31)的杆电极的高频电压同频率、且振幅随着去往前方而阶段性地减小的高频电压。该高频电压的振幅越小，离子的接收度越大，因此，通过酌情调整振幅，能够改善入射的离子束的发射度与接收度的匹配。离子入射至前置电极部(32)时的透过率以及离子从前置电极部(32)入射至主电极部(31)时的透过率对四极杆滤质器(3)整体的离子透过率的影响要高于前置电极部(32)内的透过率。因此，通过改善这些透过率，能够提高四极杆滤质器(3)整体的离子透过率。
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公开(公告)号：CN103201821B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201180053862.5
申请日：2011-09-06
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01J49/405
Abstract: 提供一种TOFMS，其具备在确保设计上的高自由度的同时、具有相同m/z的离子的飞行时间不取决于能量的理想的反射器。反射器所形成的电场被虚拟地划分为用于使离子减速的减速区域(B)和用于使离子反射的反射区域(C)，减速区域定为一段均匀减速电场、两段均匀减速电场等沿着中心轴的一种以上的电势分布。另一方面，在减速区域的参数下从规定地点出发的某质量电荷比的离子经过自由飞行区域(A)、减速区域而导入到反射区域，用分析式或通过数值计算来确定反射区域的电场的电势分布，使得在反射区域中折返而返回到原来的地点为止的总飞行时间等于具有在减速区域与反射区域的边界或减速区域内的规定地点折返的轨道的相同质量电荷比的离子的总飞行时间。
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公开(公告)号：CN103201821A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180053862.5
申请日：2011-09-06
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01J49/405
Abstract: 提供一种TOFMS，其具备在确保设计上的高自由度的同时、具有相同m/z的离子的飞行时间不取决于能量的理想的反射器。反射器所形成的电场被虚拟地划分为用于使离子减速的减速区域(B)和用于使离子反射的反射区域(C)，减速区域定为一段均匀减速电场、两段均匀减速电场等沿着中心轴的一种以上的电势分布。另一方面，在减速区域的参数下从规定地点出发的某质量电荷比的离子经过自由飞行区域(A)、减速区域而导入到反射区域，用分析式或通过数值计算来确定反射区域的电场的电势分布，使得在反射区域中折返而返回到原来的地点为止的总飞行时间等于具有在减速区域与反射区域的边界或减速区域内的规定地点折返的轨道的相同质量电荷比的离子的总飞行时间。
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