公开(公告)号：CN106480402A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610390680.1

申请日：2016-06-02

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 市冈圣菜 ,  吉牟田利典 ,  徳田敏 ,  吉冈尚规 ,  上野智子 ,  尾崎悟

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01J37/32715 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426 ,  C23C14/02 ,  C23C14/205

Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法，在聚碳酸酯上形成金属薄膜的情况下，能防止金属薄膜剥离，另外，在其他树脂上形成金属薄膜的情况下，能提高金属薄膜的反射率。在不会使水分附着于从树脂成型机(63)搬出的成型后的工件(W)的表面的60秒以内的短时间内，完成从树脂成型机(63)中的工件导入部(62)向成膜腔室件(W)的表面在成膜过程中发生水解，从而能防止通过溅射而形成的金属薄膜剥离这一现象。另外，通过减少附着于树脂基材的水分，能防止Al氧化而获得良好的反射率。(10)搬送工件(W)。由此，能防止聚碳酸酯制的工

公开(公告)号：CN103119197A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180040939.5

申请日：2011-08-29

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 上野智子 ,  铃木正康 ,  小西善之 ,  东和文

IPC: C23C16/34 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L31/04 ,  H01L33/44 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L31/1868 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  G02F1/133305 ,  H01L51/5253 ,  H05B33/04 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的非晶质氮化硅膜是使用表面波等离子体CVD装置在成膜对象物上成膜而成，且对于该非晶质氮化硅膜来说，表面波等离子体CVD装置的介电窗与所述成膜对象物的距离为175mm以上，且是在成膜对象物的温度为200℃以下的条件下成膜，并且利用卢瑟福背散射(RBS)法及卢瑟福氢正散射(HFS)法测定的该非晶质氮化硅膜的膜中氢浓度为25atm％以下。

公开(公告)号：CN106978582A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610917404.6

申请日：2016-10-20

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 市冈圣菜 ,  吉牟田利典 ,  德田敏 ,  吉冈尚规 ,  上野智子 ,  尾崎悟

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/205 ,  C23C14/02 ,  C23C14/022 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种即便在高速地执行溅射的情况下也能够提高金属薄膜的反射率的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法包括：加热工序，将树脂制的工件加热至构成该工件的树脂的软化温度以下的温度；搬入工序，将通过加热工序进行了加热的工件搬入成膜腔室内；减压工序，对成膜腔室内进行减压；非反应性气体供给工序，将非反应性气体供给至成膜腔室内；等离子体工序，对配设于成膜腔室内的等离子体电极施加高频电压；以及溅射工序，对包含靶材材料且配设于成膜腔室内的溅射电极施加电压。

公开(公告)号：CN102234787A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110064164.7

申请日：2011-03-15

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 东和文 ,  上野智子 ,  铃木正康 ,  小西善之 ,  石田进一郎

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L23/29 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5253 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L51/448 ,  Y10T428/23

Abstract: 本发明是有关于一种阻气性薄膜以及使用此阻气性薄膜的有机元件，其提供一种SiNx膜的阻障膜，其能够在低工艺温度下形成，具有高水蒸气阻障性和高透光性，且能够用于塑料基板等的由可挠性的有机材料构成的基板的密封。使用表面波等离子体CVD装置，形成由表示氮N与硅Si的原子比率的比率N/(Si+N)介于0.60至0.65之间的氮化硅(SiNx)构成的阻障膜。

公开(公告)号：CN101452706B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200710196399.5

申请日：2007-11-28

Applicant: 新科实业有限公司 ,  株式会社岛津制作所

Inventor： 上田国博 ,  方宏新 ,  王东 ,  小西善之 ,  上野智子 ,  冈田繁信

IPC: G11B5/255 ,  G11B5/40 ,  C23C16/27 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀性良好的薄膜保护膜的形成方法，根据该方法可以提供高品质的被保护体。本发明所涉及的在被保护体的至少一部分表面形成保护膜的方法，包括在所述被保护体的表面形成底膜的底膜形成工序及在该底膜上形成类金刚石碳膜的DLC膜形成工序；其中，在所述底膜形成工序中，反复进行在沉积规定膜厚的底膜之后再沿着膜厚度方向部分除去该底膜的环节，从而在被保护体的表面多次形成底膜。而且，还包括在进行所述DLC膜形成工序之前进行的在所述形成类金刚石碳膜的底膜表面上形成绝缘层的绝缘层形成工序。

公开(公告)号：CN101452706A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710196399.5

申请日：2007-11-28

Applicant: 新科实业有限公司 ,  株式会社岛津制作所

Inventor： 上田国博 ,  方宏新 ,  王东 ,  小西善之 ,  上野智子 ,  冈田繁信

IPC: G11B5/255 ,  G11B5/40 ,  C23C16/27 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀性良好的薄膜保护膜的形成方法，根据该方法可以提供高品质的被保护体。本发明所涉及的在被保护体的至少一部分表面形成保护膜的方法，包括在所述被保护体的表面形成底膜的底膜形成工序及在该底膜上形成类金刚石碳膜的DLC膜形成工序；其中，在所述底膜形成工序中，反复进行在沉积规定膜厚的底膜之后再部分或全部除去该底膜的环节，从而在被保护体的表面多次形成底膜。而且，还包括在进行所述DLC膜形成工序之前进行的在所述形成类金刚石碳膜的底膜表面上形成绝缘层的绝缘层形成工序。