公开(公告)号：CN103119197A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180040939.5

申请日：2011-08-29

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 上野智子 ,  铃木正康 ,  小西善之 ,  东和文

IPC: C23C16/34 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L31/04 ,  H01L33/44 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L31/1868 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  G02F1/133305 ,  H01L51/5253 ,  H05B33/04 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的非晶质氮化硅膜是使用表面波等离子体CVD装置在成膜对象物上成膜而成，且对于该非晶质氮化硅膜来说，表面波等离子体CVD装置的介电窗与所述成膜对象物的距离为175mm以上，且是在成膜对象物的温度为200℃以下的条件下成膜，并且利用卢瑟福背散射(RBS)法及卢瑟福氢正散射(HFS)法测定的该非晶质氮化硅膜的膜中氢浓度为25atm％以下。

公开(公告)号：CN102234787A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110064164.7

申请日：2011-03-15

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 东和文 ,  上野智子 ,  铃木正康 ,  小西善之 ,  石田进一郎

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L23/29 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5253 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L51/448 ,  Y10T428/23

Abstract: 本发明是有关于一种阻气性薄膜以及使用此阻气性薄膜的有机元件，其提供一种SiNx膜的阻障膜，其能够在低工艺温度下形成，具有高水蒸气阻障性和高透光性，且能够用于塑料基板等的由可挠性的有机材料构成的基板的密封。使用表面波等离子体CVD装置，形成由表示氮N与硅Si的原子比率的比率N/(Si+N)介于0.60至0.65之间的氮化硅(SiNx)构成的阻障膜。