测量处理装置、测量处理方法、测量处理程序和用于制造该装置的方法

    公开(公告)号:CN107076683B

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN201480083003.4

    申请日:2014-09-02

    Abstract: 一种用于X射线检查装置的测量处理装置,所述X射线检查装置利用检测单元检测穿过试样的X射线,以基于所获取的透射图像顺序地检查多个试样,所述测量处理装置包括:设置单元,用于在所述试样的一部分上设置待检查区域;确定单元,用于通过使用穿过所述待检查区域的X射线的透射图像来确定所述待检查区域的非缺陷;校正单元,用于基于所述确定单元的确定结果对所述待检查区域执行校正;以及显示控制单元,用于显示由所述校正单元校正后的待检查的校正区域。

    表面检查装置及表面检查方法

    公开(公告)号:CN102334026B

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201080008290.4

    申请日:2010-02-16

    Inventor: 早野史伦

    Abstract: 提供表面检查装置,即使是含有底层影响的绕射光亦能正确检测出最上层缺陷或CD值变动等晶圆表面状态。在表面检查装置(1)中,照明光学系统(10)将以对晶圆(5)表面状态变化敏感的高入射角射入晶圆(5)表面的第1照明光、及以不敏感的低入射角射入晶圆(5)表面的第2照明光分别照射于晶圆(5)表面,检出光学系统(20)分别检测出高入射角所产生的绕射光及低入射角所产生的绕射光,运算处理部(30)依据被检出光学系统(20)检测出的高入射角所产生的绕射光及低入射角所产生的绕射光的信息,修正晶圆(5)底层所造成的影响并求出CD值。

    表面检查装置及表面检查方法

    公开(公告)号:CN102334026A

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN201080008290.4

    申请日:2010-02-16

    Inventor: 早野史伦

    Abstract: 提供表面检查装置,即使是含有底层影响的绕射光亦能正确检测出最上层缺陷或CD值变动等晶圆表面状态。在表面检查装置(1)中,照明光学系统(10)将以对晶圆(5)表面状态变化敏感的高入射角射入晶圆(5)表面的第1照明光、及以不敏感的低入射角射入晶圆(5)表面的第2照明光分别照射于晶圆(5)表面,检出光学系统(20)分别检测出高入射角所产生的绕射光及低入射角所产生的绕射光,运算处理部(30)依据被检出光学系统(20)检测出的高入射角所产生的绕射光及低入射角所产生的绕射光的信息,修正晶圆(5)底层所造成的影响并求出CD值。

    测量处理装置、测量处理方法和测量处理程序

    公开(公告)号:CN107076684B

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN201480083007.2

    申请日:2014-09-02

    Abstract: 一种用于X射线检查装置的测量处理装置,所述X射线检查装置检测穿过放置在放置单元上的试样的预定区域的X射线,以对所述试样的预定区域的形状进行检查,所述测量处理装置包括:设置单元,用于在所述试样上设置待检测的三维区域;以及切片选择单元,用于在所述待检测区域上设置多个切片区域,当所述多个切片区域被视为所述预定区域时,对于所述多个切片区域中的每一个切片区域,计算检测所述待检测区域所需的所述预定区域的位移量,并且基于每个计算的位移量,从所述多个切片区域中选择用于检查的切片区域。

    表面检查方法和表面检查装置

    公开(公告)号:CN101990636A

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:CN200980112567.5

    申请日:2009-04-08

    Inventor: 早野史伦

    CPC classification number: G01N21/95692 G01N21/4788 H01L22/12

    Abstract: 本发明提供一种表面检查方法及表面检查装置。本发明的表面检查方法用于检查半导体基板的表面,该半导体基板具有反复排列的线状的线图案及形成于该线图案上的孔状的孔图案,其中,具有:设定检查条件的设定工序(S101);通过设定工序中设定的检查条件向半导体基板的表面照射照明光的照明工序(S102);检测来自被照射了照明光的半导体基板的衍射光的检测工序(S103);和根据检测工序中检测出的衍射光检查孔图案中有无缺陷的检查工序(S104),在设定工序中,设定检查条件,以使半导体基板的表面中的照明光的行进方向与线图案的反复排列方向不同,且与孔图案的反复排列方向基本一致。

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