公开(公告)号：CN1329991C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03105465.X

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 仲泽美佐子 ,  牧田直树

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

公开(公告)号：CN101075622A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710109270.6

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 仲泽美佐子 ,  牧田直树

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

公开(公告)号：CN1445853A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03105465.X

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 仲泽美佐子 ,  牧田直树

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

公开(公告)号：CN101075622B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710109270.6

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 仲泽美佐子 ,  牧田直树

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 半导体器件及其制造方法催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

公开(公告)号：CN1395319A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02124493.6

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  仲泽美佐子 ,  大沼英人 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621

Abstract: 解决了有关源/漏吸杂方法中的n沟道TFT的现有技术中的问题。在n沟道TFT中，其源/漏区仅仅含有n型杂质。因此，比之其源/漏区含有n型杂质和浓度更高的p型杂质的p沟道TFT，n沟道晶体管沟道区中的吸杂效率更低。因此，借助于在其源/漏区末端处提供含有n型杂质和p型杂质二者且p型杂质的浓度设置为高于n型杂质的浓度的高效吸杂区，能够解决n沟道TFT中吸杂效率差的问题。

公开(公告)号：CN1120462C

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN95120573.0

申请日：1995-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  小沼利光 ,  仲泽美佐子 ,  西毅

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  H01L27/10

CPC classification number: G02F1/13624 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0443 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0281 ,  G09G2320/0252 ,  G09G2320/0261 ,  G09G2320/103 ,  G09G2340/16

Abstract: 在有源矩阵型液晶显示器件中，信号线和扫描线在一个透明基片上按矩阵形式交叉。在每个交叉部分设置一个薄膜晶体管和一个透明象素电极。在该透明基片和另一个透明基片之间插入液晶材料。在每个象素区设置一个中央象素电极和包围该中央象素电极的一个外围象素电极。当象素区在动态图像显示中有移动时，先通过外围象素电极给液晶施加电场，而后经一个预定的延迟时间后通过中央象素电极给液晶施加电场。

公开(公告)号：CN100377292C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN03132892.X

申请日：2003-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  长尾里筑子 ,  坂仓真之 ,  仲泽美佐子 ,  宫城德子 ,  池田寿雄 ,  土屋薰 ,  石垣步 ,  高桥正弘 ,  松田宪之 ,  大原宏树

IPC: H01L21/00 ,  H05B33/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。

公开(公告)号：CN100342484C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN03110587.4

申请日：2003-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 仲泽美佐子 ,  一条充弘 ,  浜谷敏次 ,  大沼英人 ,  牧田直树

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18%或更高。

公开(公告)号：CN1941419A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610137390.2

申请日：2003-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 仲泽美佐子 ,  一条充弘 ,  浜谷敏次 ,  大沼英人 ,  牧田直树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18％或更高。

公开(公告)号：CN1293647C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN02124493.6

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  仲泽美佐子 ,  大沼英人 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621

Abstract: 解决了有关源/漏吸杂方法中的n沟道TFT的现有技术中的问题。在n沟道TFT中，其源/漏区仅仅含有n型杂质。因此，比之其源/漏区含有n型杂质和浓度更高的p型杂质的p沟道TFT，n沟道晶体管沟道区中的吸杂效率更低。因此，借助于在其源/漏区末端处提供含有n型杂质和p型杂质二者且p型杂质的浓度设置为高于n型杂质的浓度的高效吸杂区，能够解决n沟道TFT中吸杂效率差的问题。