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公开(公告)号：CN110319626B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201910231283.3
申请日：2019-03-26
Applicant: 株式会社京滨 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种冷却装置。该冷却装置具有：利用制冷剂接受电子配件的热量的受热器、将来自所述受热器的所述制冷剂的热量排出的排热器、以及使所述制冷剂从所述受热器向所述排热器流通且使所述制冷剂从所述排热器向所述受热器流通的循环流路。所述受热器具有：安装有多个所述电子配件的安装面、与所述循环流路连通的第一流路、以及与所述第一流路连通且与多个所述电子配件对应而设置于所述安装面的背面的多个表面积扩展部件。
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公开(公告)号：CN110319626A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910231283.3
申请日：2019-03-26
Applicant: 株式会社京滨 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种冷却装置。该冷却装置具有：利用制冷剂接受电子配件的热量的受热器、将来自所述受热器的所述制冷剂的热量排出的排热器、以及使所述制冷剂从所述受热器向所述排热器流通且使所述制冷剂从所述排热器向所述受热器流通的循环流路。所述受热器具有：安装有多个所述电子配件的安装面、与所述循环流路连通的第一流路、以及与所述第一流路连通且与多个所述电子配件对应而设置于所述安装面的背面的多个表面积扩展部件。
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公开(公告)号：CN102203905A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980144307.6
申请日：2009-11-09
Applicant: KELK株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67005 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的温度控制装置，其通过使硅晶片等半导体晶片的基底温度高速上升至目标温度或下降至目标温度，由此使半导体设备的制造时间缩短，且使半导体晶片的面内的温度分布精度良好地为所期望的温度分布(使面内均匀或使面内温度分布在各部分不同)，从而能够高品质地制造半导体设备，进而能量效率优秀，从而能够简易地构成装置。控制机构在使半导体晶片的温度上升而控制为目标温度时，切换到使比高温槽内的目标温度高的温度的高温循环液向工作台内的流路供给，并使半导体晶片的温度与目标温度一致且使半导体晶片的面内温度分布成为期望温度分布的方式来控制各多个区域的热电元件。
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公开(公告)号：CN119032246A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202380026065.0
申请日：2023-03-03
Applicant: 国家科学研究中心 , 国立大学法人东北大学 , 克劳德伯纳德里昂第一大学 , 里昂中央理工大学 , 里昂国家应用科学学院
IPC: F25B23/00
Abstract: 本发明涉及一种温度再生器，所述温度再生器包括：多个弹性体材料管(1)；至少一个致动器(23，33)；第一箱体(2)和第二箱体(3)，所述箱体各自具有底部(20，30)，所述底部中有多个孔，所述箱体各自的底部彼此相向，所述第一箱体(2)的每个孔通过一个管与所述第二箱体(3)的孔流体连通，所述第一箱体或所述第二箱体中的至少一者能够通过所述致动器平移使得弹性体材料管相继地经历拉伸和释放状态；所述第一箱体或所述第二箱体中的至少一者具有用于将流经所述管的流体吸入所述箱体中并然后将其从所述箱体中排出的装置(35，53)。本发明还涉及包括这种再生器的热泵及再生器的实施方法。
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公开(公告)号：CN110337527A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201880014174.X
申请日：2018-02-27
Applicant: 国立大学法人东北大学
Abstract: 甲烷气回收方法，是从甲烷水合物层回收甲烷气的甲烷气回收方法，将溶解有二氧化碳并且被加热了的加热海水注入与甲烷水合物层连通的1个或多个注入井，将甲烷水合物层预热，用与甲烷水合物层连通、设置于距离注入井仅设定距离的位置的1个或多个生产井，从预热了的甲烷水合物层采用减压法回收甲烷气，经过设定期间后，将注入井作为生产井，从生产井回收甲烷气，挖掘新的注入井，将加热海水注入注入井，将甲烷水合物预热。
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