公开(公告)号：CN102203905A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980144307.6

申请日：2009-11-09

Applicant: KELK株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 武知弘明 ,  高桥典夫 ,  清泽航 ,  圆山重直 ,  小宫敦树

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的温度控制装置，其通过使硅晶片等半导体晶片的基底温度高速上升至目标温度或下降至目标温度，由此使半导体设备的制造时间缩短，且使半导体晶片的面内的温度分布精度良好地为所期望的温度分布(使面内均匀或使面内温度分布在各部分不同)，从而能够高品质地制造半导体设备，进而能量效率优秀，从而能够简易地构成装置。控制机构在使半导体晶片的温度上升而控制为目标温度时，切换到使比高温槽内的目标温度高的温度的高温循环液向工作台内的流路供给，并使半导体晶片的温度与目标温度一致且使半导体晶片的面内温度分布成为期望温度分布的方式来控制各多个区域的热电元件。