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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101389979A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200780006712.2
申请日：2007-12-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
CPC classification number: G01T1/2018 , H01L27/14618 , H01L27/14663 , H01L27/14676 , H01L31/115 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供的射线检测器，是在多块光电变换基板(14)的整体受光部(19)上直接形成闪烁体层(21)的射线检测器(11)中，规定相邻的光电变换基板(14)间形成的间隙(S)和垂直错位(D)为因这些间隙(S)和垂直错位(D)产生的影响相当于1个光电变换元件的影响的范围内。即，相邻的光电变换基板(14)间的间隙(S)为133μm以下，相邻的光电变换基板(14)间的垂直错位D为100μm以下。能在多块光电变换基板(14)的整体受光部(19)上直接形成闪烁体层(21)，可防止MTF和灵敏度的劣化，还降低制造成本。
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公开(公告)号：CN1105803A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：CN94190131.9
申请日：1994-03-17
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 山岸城文
IPC: H01J31/50
CPC classification number: H01J29/385 , H01J2231/50036
Abstract: 一种X射线图像增强器，包括具有金属制的X射线输入窗的真空外壳、在上述X射线输入窗内表面上形成的输入面、在上述真空外壳内沿着从上述输入面发射的电子的前进方向顺序设置的聚焦电极、阳极和输出面。上述X射线输入窗在形成输入面一侧的面上具有凹凸表面硬化层，上述输入面具有在上述凹凸表面硬化层上形成的荧光体层和在该荧光体层上形成的光电面。
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公开(公告)号：CN1059514C
公开(公告)日：2000-12-13
申请号：CN94190131.9
申请日：1994-03-17
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 山岸城文
IPC: H01J31/50
CPC classification number: H01J29/385 , H01J2231/50036
Abstract: 一种X射线图像增强器，包括具有金属制的X射线输入窗的真空外壳、在上述X射线输入窗内表面上形成的输入面、在上述真空外壳内沿着从上述输入面发射的电子的前进方向顺序设置的聚焦电极、阳极和输出面。上述X射线输入窗在形成输入面一侧的面上具有凹凸表面硬化层，上述输入面具有在上述凹凸表面硬化层上形成的荧光体层和在该荧光体层上形成的光电面。
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公开(公告)号：CN1550023A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN02816856.9
申请日：2002-08-29
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 山岸城文
CPC classification number: G21K4/00 , C09K11/616 , G01T1/20
Abstract: 一种X射线图像检测器的制造方法，在构成X射线图像检测输入部的输入基板(21)上，形成将X射线变换成光的CsI膜等X射线发光荧光膜(22)。对X射线发光荧光膜(22)的表面部分照射具有波长500nm以下的高能光。利用照射高能光，使X射线发光荧光膜(22)的表面部分局部升华及/或熔融而平整。通过利用激光那样的高能光，从而能有效并均匀地使X射线发光荧光膜的表面部分变得平坦。
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公开(公告)号：CN1333421C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN02816856.9
申请日：2002-08-29
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 山岸城文
CPC classification number: G21K4/00 , C09K11/616 , G01T1/20
Abstract: 一种X射线图像检测器的制造方法，在构成X射线图像检测输入部的输入基板(21)上，形成将X射线变换成光的CsI膜等X射线发光荧光膜(22)。对X射线发光荧光膜(22)的表面部分照射具有波长500nm以下的高能光。利用照射高能光，使X射线发光荧光膜(22)的表面部分局部升华及/或熔融而平整。通过利用激光那样的高能光，从而能有效并均匀地使X射线发光荧光膜的表面部分变得平坦。
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