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公开(公告)号：CN115865067A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210127267.1
申请日：2022-02-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H03K17/785 , H01L25/16
Abstract: 实施方式提供能够差动传送的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含：基板(10)；设于基板的第一面(S1)上且源极被共同连接的第一MOSFET(20a)以及第二MOSFET(20b)；设于基板的第一面上且源极被共同连接的第三MOSFET(20c)以及第四MOSFET(20d)；设于基板的第一面上且连接于第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET以及第四MOSFET的受光元件(40)；以及设于受光元件上的发光元件(60)。
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公开(公告)号：CN110400785A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201811554469.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明的实施方式提供减少了导通电阻的半导体装置以及驱动电路。实施方式的半导体装置具备：第1电极；半导体基板，设于第1电极上，具有电连接于第1电极的半导体元件；第2电极，设于半导体基板上，电连接于半导体元件；与第1电极、半导体基板以及第2电极分离地设置的端子；第1接合线，具有第1一端和第1另一端，在第1一端设有接合于第2电极的第1接合部，在第1另一端设有接合于端子的第2接合部，所述第1接合线含有铜且直径为100μm以下；以及第2接合线，具有第2一端和第2另一端，在第2一端设有接合于第2电极的第3接合部，在第2另一端设有接合于端子的第4接合部，所述第2接合线含有铜且直径为100μm以下。
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公开(公告)号：CN115842541A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210139928.2
申请日：2022-02-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H03K17/785
Abstract: 实施方式提供一种能改善高频信号的传输特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括：基板(10)，具有在第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)上延伸的第一面(S1)；第一MOSFET(20a)，设置在基板的第一面上；支承台(30)，设置在基板的第一面的上方，在与第一方向和第二方向交叉的第三方向(Z方向)上延伸；受光元件(40)，与支承台(30)的朝向第一方向的第二面(S4)接触；以及发光元件(60)，与受光元件的朝向第一方向的第三面(S5)接触。
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公开(公告)号：CN115483165A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210021022.0
申请日：2022-01-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置、其制造方法以及基板。实施方式的半导体装置具备：绝缘部件；受光元件，被安装在所述绝缘部件上；发光元件，与所述受光元件光耦合；第一金属端子，被设置在所述绝缘部件的背面上，与所述发光元件电连接；开关元件，经由金属焊盘被安装在所述绝缘部件上；以及第二金属端子，被设置在所述绝缘部件的所述背面上。所述受光元件的输出与所述开关元件的控制电极电连接。所述第二金属端子与所述金属焊盘电连接。在从所述背面朝向所述表面的第一方向上，所述绝缘部件具有第一厚度，所述金属焊盘具有第二厚度，所述第二金属端子具有第三厚度。所述第一厚度比将所述第二厚度与所述第三厚度相加而得到的厚度薄。
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公开(公告)号：CN115116978B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110830262.0
申请日：2021-07-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/488 , H01L23/49
Abstract: 实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：安装基板，设置有第一电极焊盘及第二电极焊盘；半导体元件，设置于安装基板上，具有支承基板、设置于支承基板的朝向安装基板的面的第三电极焊盘及设置于支承基板的朝向安装基板的面的第四电极焊盘，在支承基板和第三电极焊盘上设置有第一狭缝，在支承基板和第四电极焊盘上设置有第二狭缝；第一导电性接合剂，将第一电极焊盘和第三电极焊盘连接；以及第二导电性接合剂，将第二电极焊盘和第四电极焊盘连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115116978A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110830262.0
申请日：2021-07-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/07 , H01L23/488 , H01L23/49
Abstract: 实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：安装基板，设置有第一电极焊盘及第二电极焊盘；半导体元件，设置于安装基板上，具有支承基板、设置于支承基板的朝向安装基板的面的第三电极焊盘及设置于支承基板的朝向安装基板的面的第四电极焊盘，在支承基板和第三电极焊盘上设置有第一狭缝，在支承基板和第四电极焊盘上设置有第二狭缝；第一导电性接合剂，将第一电极焊盘和第三电极焊盘连接；以及第二导电性接合剂，将第二电极焊盘和第四电极焊盘连接。
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公开(公告)号：CN115483165B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202210021022.0
申请日：2022-01-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置、其制造方法以及基板。实施方式的半导体装置具备：绝缘部件；受光元件，被安装在所述绝缘部件上；发光元件，与所述受光元件光耦合；第一金属端子，被设置在所述绝缘部件的背面上，与所述发光元件电连接；开关元件，经由金属焊盘被安装在所述绝缘部件上；以及第二金属端子，被设置在所述绝缘部件的所述背面上。所述受光元件的输出与所述开关元件的控制电极电连接。所述第二金属端子与所述金属焊盘电连接。在从所述背面朝向所述表面的第一方向上，所述绝缘部件具有第一厚度，所述金属焊盘具有第二厚度，所述第二金属端子具有第三厚度。所述第一厚度比将所述第二厚度与所述第三厚度相加而得到的厚度薄。
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公开(公告)号：CN115831949A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210155555.8
申请日：2022-02-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种降低了寄生电容的高性能的半导体封装体(1)。实施方式的半导体封装体(1)具有：PDA芯片(10)；MOS芯片(20)；以及配线板(30)，在第1主面(30SA)，具有使用非导电性粘接剂(15)固定着PDA芯片(10)的非导电性的第1刚性板(11)和焊料接合着上述MOS芯片(20)的下表面端子(25)的导电性的第2刚性板(34)，在第2主面(30SB)，具有与上述PDA芯片(10)电连接的输入端子(33)以及与上述第2刚性板(34)电连接的输出端子(36)。
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公开(公告)号：CN1333443C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200510051377.0
申请日：2005-03-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/301 , H01L21/78 , B28D5/00 , B23K26/00 , B23K101/40
CPC classification number: B28D5/0011 , B23K26/0006 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D1/221 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L22/32 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在晶片中形成半导体元件，在该晶片的上层形成包含相对介电系数低的绝缘膜的多层膜。然后，在上述多层膜的切片线上边形成作为位置对准标记和测试焊盘中的至少一方发挥作用的金属层。其次，向把切片线上边的上述位置对准标记和测试焊盘覆盖起来的区域上照射激光。然后，通过对切片线的位置对准标记和测试焊盘中的至少一方上进行比激光的照射区域更窄的机械性的切片，使半导体晶片个片化，形成半导体芯片。
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公开(公告)号：CN1667797A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510051377.0
申请日：2005-03-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/301 , H01L21/78 , B28D5/00 , B23K26/00 , B23K101
CPC classification number: B28D5/0011 , B23K26/0006 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , B28D1/221 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L22/32 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在晶片中形成半导体元件，在该晶片的上层形成包含相对介电系数低的绝缘膜的多层膜。然后，在上述多层膜的切片线上边形成作为位置对准标记和测试焊盘中的至少一方发挥作用的金属层。其次，向把切片线上边的上述位置对准标记和测试焊盘覆盖起来的区域上照射激光。然后，通过对切片线的位置对准标记和测试焊盘中的至少一方上进行比激光的照射区域更窄的机械性的切片，使半导体晶片个片化，形成半导体芯片。
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