公开(公告)号：CN111697053A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201911177913.X

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 加藤大望 ,  梶原瑛祐 ,  向井章 ,  新留彩 ,  大野浩志 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 提供能够稳定地提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3氮化物区域、第1绝缘膜以及第2绝缘膜。所述第1氮化区域包含Alx1Ga1-x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN112186030B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202010122193.3

申请日：2020-02-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 向井章 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/68

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～3半导体区域。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN114864684A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202110946289.6

申请日：2021-08-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶原瑛祐 ,  大野浩志 ,  加藤大望 ,  向井章 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335

Abstract: 提供一种能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含：第1～第3电极；第1、第2半导体区域；以及第1、第2绝缘构件。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN115440809A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210039996.1

申请日：2022-01-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 向井章

IPC: H01L29/778

Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供一种能够使特性稳定化的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～第5电极、半导体构件、第1绝缘构件以及第1连接构件、第2连接构件。半导体构件包括第1半导体区域和第2半导体区域。第1半导体区域含有Alx1Ga1‑x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN111697053B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201911177913.X

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 加藤大望 ,  梶原瑛祐 ,  向井章 ,  新留彩 ,  大野浩志 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 提供能够稳定地提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3氮化物区域、第1绝缘膜以及第2绝缘膜。所述第1氮化区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN112186030A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010122193.3

申请日：2020-02-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 向井章 ,  藏口雅彦

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/68

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～3半导体区域。第1半导体区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1