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发明公开
半导体装置及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN115832059A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210214734.4

申请日：2022-03-07

Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 中根由 , 户田顺之 , 北原宏良 , 山本武志 , 寺田直纯

IPC: H01L29/788 , H01L21/336 , H01L29/792

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体基板、存储晶体管和MOS晶体管。存储晶体管具有在半导体基板上依次配置的至少第1硅氧化膜和第1栅极电极。MOS晶体管具有在导体基板上依次配置的第2硅氧化膜和第2栅极电极。在存储晶体管的第1硅氧化膜及第1栅极电极中的至少一方不产生鸟喙部。

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