公开(公告)号：CN105977182A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510556151.X

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 铃木拓马 ,  藤泽博文 ,  白川努 ,  佐野贤也

IPC: H01L21/67 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473 ,  H01L21/67282

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够减少器件不良的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：常压下为非液相的材料的单晶衬底；以及识别标记，设置于所述衬底，且具有非晶质的所述材料的区域、或偏离了化学计量的所述材料的区域。