公开(公告)号：CN102196196A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110072005.1

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 成濑纯次 ,  田中长孝

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/341 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/35563 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641

Abstract: 固体摄像装置具备：光电二极管部，在半导体基板内以恒定间距P交替地配置对应于高灵敏度像素的第一光电二极管和对应于低灵敏度像素的第二光电二极管；高灵敏度像素用布线，以恒定间距C设置在上述基板之上；低灵敏度像素用布线，以恒定间距D设置在上述基板之上；高灵敏度像素用滤色镜，以恒定间距A设置在上述各布线的与上述基板相反的一侧，限制对上述高灵敏度像素的入射光的波长；以及低灵敏度像素用滤色镜，以恒定间距B设置在上述各布线的与上述基板相反的一侧，限制对上述低灵敏度像素的入射光的波长。并且，各间距的关系为D＝B＜P＜A＝C。

公开(公告)号：CN102194842A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110051858.7

申请日：2011-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 海上尚子 ,  物井诚 ,  田中长孝

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/148 ,  H01L27/14627 ,  H04N5/355

Abstract: 本发明的固体摄像器件，具备多个像素，该多个像素在上述半导体基板内以一定间距二维配置，上述各像素具备：第一及第二光电二极管，用于将入射光进行光电变换、并蓄积进行变换所得到的电荷；第一微透镜，用于将光聚到第一光电二极管上；以及第二微透镜，用于将光聚到第二光电二极管上。并且，第二光电二极管的饱和电荷量比第一光电二极管大。第二微透镜的开口比第一微透镜小。

公开(公告)号：CN100550405C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710129130.5

申请日：2007-07-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口铁也 ,  后藤浩成 ,  山下浩史 ,  井上郁子 ,  田中长孝 ,  井原久典

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609

Abstract: 本发明的固体成像器件具有在包含硼的P+衬底上顺序地堆积了包含硼的P-外延层和包含磷的N外延层的N/P-/P+衬底，在N外延层的表层部分上形成光电变换部的N型区域。进而，从衬底表面连续到P-外延层地形成由P型半导体区域构成的壁垒层使得在平面上围住光电变换部的N区域，在用于分割为各个器件的芯片切断部上，也从衬底表面连续到P-外延层地形成P型半导体区域。

公开(公告)号：CN100466281C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200610075268.7

申请日：2006-04-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关根弘一 ,  田中长孝

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N3/15

CPC classification number: H04N5/37457 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，包括：像素组和输出电路组。在像素组中，在垂直方向、水平方向上分别以预定的间距二维地配置有像素，在垂直方向上邻接的像素成对。从在垂直方向上邻接的像素对的间隙部至在水平方向上邻接该像素对的像素对的间隙部，设置有输出电路组。此输出电路组将与从上述像素对中被选择的一个像素中读出的信号电荷相对应的信息输出到外部。有包含在垂直方向上邻接的像素对和对应于此像素对的输出电路而构成单位单元。单位单元被配置成栅格状。沿同一水平线上配置有在倾斜方向上邻接的单位单元中的像素对的一个像素。

公开(公告)号：CN104916653A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510088877.5

申请日：2015-02-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇家真司 ,  田中长孝 ,  影山目次 ,  沼田英夫

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14656 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1037 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供能够使用共通的半导体基板来制造规格不同的固体摄像装置的固体摄像装置用基板。实施方式的半导体装置用基板具备P型的半导体基板、P型或N型的半导体层、以及P型或N型的外延层。P型或N型的半导体层设于半导体基板的表层，电阻值比半导体基板的电阻值低。P型或N型的外延层设于半导体层的表面上，电阻值比半导体层的电阻值高。

公开(公告)号：CN104600086A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410578338.5

申请日：2014-10-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 樽木久征 ,  田中长孝

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/14641 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/142 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/02016 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035281

Abstract: 本发明提供固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。实施方式的固体摄像装置具备：光电转换元件、杂质层、低浓度区域和晶体管。光电转换元件设于半导体层。杂质层设于与排列有光电转换元件的半导体层相同的层，包含与光电转换元件的电荷蓄积区域的导电型相反的杂质。低浓度区域设于杂质层的内部，杂质的浓度比杂质层低。晶体管在杂质层设有有源区。

公开(公告)号：CN104347651A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410078410.8

申请日：2014-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中长孝

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明提供固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法，提高放大晶体管的输出线性。根据本发明的一个实施方式，提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备光电转换元件、浮动传播区以及放大晶体管。光电转换元件将入射的光光电转换成与受光量相对应的量的电荷而进行蓄积。浮动传播区临时蓄积从光电转换元件读出的电荷。放大晶体管的栅极电极与浮动传播区连接，输出基于蓄积于浮动传播区的电荷量的信号。此外，放大晶体管具备设置于耗尽层的最大区域的至少一部分的第一浓度区域以及设置于比第一浓度区域深的位置且杂质浓度比第一浓度区域的杂质浓度高的第二浓度区域。

公开(公告)号：CN102202186B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201110072009.X

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 樽木久征 ,  田中长孝

IPC: H04N5/357 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/3559 ,  H01L27/14609 ,  H04N5/3698

Abstract: 一种固体摄像器件，根据本实施方式，像素驱动电路不对垂直信号线施加偏压而使放大晶体管构成源极跟踪器电路，FD与电源连接。然后，从垂直信号线切断电流源从而解除上述源极跟踪器电路，对垂直信号线施加偏压，使读出晶体管导通，从而在被摄体的亮度比基准亮的情况下FD的电压升压，在比基准暗的情况下FD的电压降压。在读出晶体管截止后，垂直信号线与电流源连接从而构成上述源极跟踪器电路。

公开(公告)号：CN101945225B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010221256.7

申请日：2010-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中长孝 ,  物井诚

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/3745 ,  H04N9/04 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/35563 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/37457 ,  H04N9/045

Abstract: 根据一实施例，固体摄像装置包括阵列区域和控制电路。阵列区域以矩阵状配置有包括第1、第2光电二极管、第1、第2读出晶体管、复位晶体管、以及放大晶体管的多个单元格。控制电路具有第1及第2动作模式，在第1动作模式中，进行将第1及第2光电二极管的信号电荷经由第1及第2读出晶体管传送到浮动扩散器中并相加、并且将浮动扩散器的电位用放大晶体管放大之后输出信号的控制，在第2动作模式中，进行将第2光电二极管的信号电荷经由第2读出晶体管传送到浮动扩散器中、并且将浮动扩散器的电位用放大晶体管放大之后输出信号的控制。

公开(公告)号：CN100490168C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200610071669.5

申请日：2006-03-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口铁也 ,  后藤浩成 ,  山下浩史 ,  井原久典 ,  井上郁子 ,  田中长孝

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种固体摄像元件，包括：半导体衬底，该半导体衬底具有包含P型杂质的衬底本体和设在该衬底本体上的包含N型杂质的第一N型半导体层，并且，在该第一N型半导体层的上述衬底本体侧设置有包含上述P型杂质的第一P型半导体层；多个光电转换部，这些光电转换部包括在上述第一N型半导体层的表层部彼此独立地在多个位置设置的第二N型半导体层；以及多个第二P型半导体层，这些第二P型半导体层分别包围上述各光电转换部，并沿着在上述第一N型半导体层的表层部的多个位置设置的元件隔离区域，从上述第一N型半导体层的表层部直到上述第一P型半导体层的表层部连续地设置。