公开(公告)号：CN1411048A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02143342.9

申请日：2002-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 園田真久 ,  田弘昭 ,  坂上栄人 ,  金高秀海 ,  松崎憲二 ,  松本孝典

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823878

Abstract: 本发明提供了一种在具有STI的半导体装置中使用的沟槽内壁的平面和平面边界及边、角或者角落的交界等的周边部分上没有应力集中，在交界部分上结晶缺陷难以发生的半导体装置。本发明半导体装置100，包含具有形成元件的基板表面12的半导体基板10；电气分离在基板表面中形成元件的元件区域和其他区域的沟槽60；其中，位于沟槽侧面62和底面64间的交界部分80，被形成具有80nm以上的曲率半径的曲面形状。

公开(公告)号：CN103828029B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201280047417.2

申请日：2012-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  松本孝典

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B05D3/145 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种堆积物去除方法，其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法，其中，该堆积物去除方法包括以下工序：第1处理工序，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中；氧等离子体处理工序，在第1处理工序之后，加热基板并使基板暴露在氧等离子体中；以及第2处理工序，在氧等离子体处理工序之后，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。

公开(公告)号：CN103828029A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280047417.2

申请日：2012-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  松本孝典

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B05D3/145 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种堆积物去除方法，其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法，其中，该堆积物去除方法包括以下工序：第1处理工序，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中；氧等离子体处理工序，在第1处理工序之后，加热基板并使基板暴露在氧等离子体中；以及第2处理工序，在氧等离子体处理工序之后，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。

公开(公告)号：CN1674248A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510056067.8

申请日：2005-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松本孝典

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76232

Abstract: 本发明的半导体器件具有：半导体衬底；高深宽比的槽，形成在该半导体衬底的表面，侧壁部分相对于底面部分的倾斜角度在底面部分一侧成为接近直角的第一倾斜角度，而在开口部分一侧则成为小于第一倾斜角度的第二倾斜角度；以及，低深宽比的槽，以低于上述高深宽比的槽的低深宽比形成，其侧壁部分相对于底面部分的倾斜角度成为从底面部分一侧到开口部分一侧几乎一致、且接近上述第二倾斜角度的第三倾斜角度。

公开(公告)号：CN100377332C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200510056067.8

申请日：2005-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松本孝典

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76232

Abstract: 本发明的半导体器件具有：半导体衬底；高深宽比的槽，形成在该半导体衬底的表面，侧壁部分相对于底面部分的倾斜角度在底面部分一侧成为接近直角的第一倾斜角度，而在开口部分一侧则成为小于该第一倾斜角度的第二倾斜角度；以及，低深宽比的槽，以低于上述高深宽比的槽的低深宽比形成，其侧壁部分相对于底面部分的倾斜角度成为从底面部分一侧到开口部分一侧一致、且小于上述第一倾斜角度的第三倾斜角度。