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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104064483B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310376382.3
申请日：2013-08-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L25/065
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/27009 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L2924/00
Abstract: 提供半导体元件和基础材料或者半导体装置间的连接时、不会使粘着性恶化、薄型且可靠性高的半导体装置。其特征在于，包括以下步骤：在被加热的台上的基础材料或者下层的半导体元件（10）的预定位置依次粘着半导体元件（1SA）的小片接合步骤；通过接合线连接在上述半导体元件（10）的开口部形成的端子和在上述基础材料上形成的端子（13）的步骤；和，密封上述半导体元件（10）和接合线的步骤；其中，上述小片接合步骤是在上述基础材料或者下层的半导体元件（10）的预定位置使用半硬化粘着剂、半硬化膜或具有B阶段的液状粘着剂（12）粘着的步骤。
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公开(公告)号：CN104064483A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310376382.3
申请日：2013-08-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L25/065
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/27009 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L25/0657 , H01L21/56 , H01L24/83 , H01L2224/83359 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L2924/00
Abstract: 提供半导体元件和基础材料或者半导体装置间的连接时、不会使粘着性恶化、薄型且可靠性高的半导体装置。其特征在于，包括以下步骤：在被加热的台上的基础材料或者下层的半导体元件（10）的预定位置依次粘着半导体元件（1SA）的小片接合步骤；通过接合线连接在上述半导体元件（10）的开口部形成的端子和在上述基础材料上形成的端子（13）的步骤；和，密封上述半导体元件（10）和接合线的步骤；其中，上述小片接合步骤是在上述基础材料或者下层的半导体元件（10）的预定位置使用半硬化粘着剂、半硬化膜或具有B阶段的液状粘着剂（12）粘着的步骤。
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公开(公告)号：CN101257013B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810092028.7
申请日：2008-02-20
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 松岛良二
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/31
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/105 , H01L2224/05599 , H01L2224/06135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/4824 , H01L2224/49175 , H01L2224/73215 , H01L2224/85399 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了半导体装置和采用其的半导体模块，半导体装置包括：包括具有第1连接焊盘的第1主表面、具有第2连接焊盘的第2主表面、以贯通第1连接焊盘的附近的方式设置的第1开口部、和以贯通第2连接焊盘的附近的方式设置的第2开口部的电路基板。在电路基板的第1主表面上以面向下的状态装载第1半导体元件。第1电极焊盘在第2开口部内露出，通过第2开口部与第2连接焊盘连接。在电路基板的第2主表面上以面向上的状态装载第2半导体元件。第2电极焊盘在第1开口部内露出，通过第1开口部与第1连接焊盘连接。
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公开(公告)号：CN104425292A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310721866.7
申请日：2013-12-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法、半导体制造装置及树脂密封用片状树脂。本发明的实施方式提供能够对片状树脂的溶融不均匀化及由摆动所引起的外观质量下降中的至少一方进行抑制的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包括：准备具有凹部的片状树脂（1）的步骤；在压缩成形用的第1模具内配置设置有半导体芯片（18）的基板（19）的步骤；在压缩成形用的第2模具内将具有凹部的片状树脂（1）配置为与半导体芯片（18）相对的步骤；对具有凹部的片状树脂（1）进行加热的步骤；使第1模具和第2模具接近、使半导体芯片（18）浸渍于加热而溶融了的溶融树脂中以进行压缩成形，从而用溶融树脂的固化物对半导体芯片（18）进行密封。
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公开(公告)号：CN101257013A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092028.7
申请日：2008-02-20
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 松岛良二
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/31
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/105 , H01L2224/05599 , H01L2224/06135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/4824 , H01L2224/49175 , H01L2224/73215 , H01L2224/85399 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了半导体装置和采用其的半导体模块，半导体装置包括：包括具有第1连接焊盘的第1主表面、具有第2连接焊盘的第2主表面、以贯通第1连接焊盘的附近的方式设置的第1开口部、和以贯通第2连接焊盘的附近的方式设置的第2开口部的电路基板。在电路基板的第1主表面上以面向下的状态装载第1半导体元件。第1电极焊盘在第2开口部内露出，通过第2开口部与第2连接焊盘连接。在电路基板的第2主表面上以面向上的状态装载第2半导体元件。第2电极焊盘在第1开口部内露出，通过第1开口部与第1连接焊盘连接。
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