公开(公告)号：CN101378083A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810213079.0

申请日：2008-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有吉恵子 ,  高岛章 ,  菊地祥子 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 根据本发明的一个实例的非易失性半导体存储器件包括半导体区域，在半导体区域中分开地布置的源极/漏极区，布置在源极/漏极区之间的沟道区域上的隧道绝缘薄膜，布置在隧道绝缘薄膜上的浮栅电极，布置在浮栅电极上的电极间绝缘薄膜，以及布置在电极间绝缘薄膜上的控制栅电极。电极间绝缘薄膜包含La、Al和Si。

公开(公告)号：CN101378083B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200810213079.0

申请日：2008-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有吉恵子 ,  高岛章 ,  菊地祥子 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 根据本发明的一个实例的非易失性半导体存储器件包括半导体区域，在半导体区域中分开地布置的源极/漏极区，布置在源极/漏极区之间的沟道区域上的隧道绝缘薄膜，布置在隧道绝缘薄膜上的浮栅电极，布置在浮栅电极上的电极间绝缘薄膜，以及布置在电极间绝缘薄膜上的控制栅电极。电极间绝缘薄膜包含La、Al和Si。