公开(公告)号：CN1309025C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410029643.5

申请日：2004-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 莲沼正彦 ,  旗崎晃次

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/3185 ,  H01L21/78 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；至少一层第一绝缘膜，形成在半导体衬底上并具有3.8或更低的相对介电常数，至少在半导体衬底的四个角附近，第一绝缘膜的整个层被沿四个角延伸的缺少部分分开；以及第二绝缘膜，覆盖半导体衬底的中心侧的缺少部分中第一绝缘膜的整个层的侧面，并具有超过3.8的相对介电常数。

公开(公告)号：CN1534733A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410029643.5

申请日：2004-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 莲沼正彦 ,  旗崎晃次

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/3185 ,  H01L21/78 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；至少一层第一绝缘膜，形成在半导体衬底上并具有3.8或更低的相对介电常数，至少在半导体衬底的四个角附近，第一绝缘膜的整个层被沿四个角延伸的缺少部分分开；以及第二绝缘膜，覆盖半导体衬底的中心侧的缺少部分中第一绝缘膜的整个层的侧面，并具有超过3.8的相对介电常数。