公开(公告)号：CN1921148A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610115100.4

申请日：2006-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤渉 ,  小野村正明 ,  田中明 ,  橘浩一 ,  藏口雅彦 ,  野田隆夫 ,  新田智洋 ,  吉冈启

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316

Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：有导电性衬底部、和高电阻部的基体；由设在所述基体之上的氮化物半导体构成的第1半导体层；设在所述第1半导体层之上，由带隙比所述第1半导体层大的未掺杂或n型氮化物半导体构成的第2半导体层；在所述第2半导体层之上设在所述导电部之上的第1主电极；在所述第2半导体层之上设在所述高电阻部之上的第2主电极；以及在所述第2半导体层之上设在所述第1主电极和所述第2主电极之间的控制电极。

公开(公告)号：CN1921147A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610115099.5

申请日：2006-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤渉 ,  小野村正明

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404

Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具备：层叠体，具有由氮化物半导体构成的第1半导体层，和设在所述第1半导体层之上、由带隙比所述第1半导体层大的未掺杂或n型氮化物半导体构成的第2半导体层；控制电极，设在所述层叠体的主面上的第1区域内；第1以及第2主电极，分别设在所述层叠体的主面上的与所述第1区域的两端相邻的第2以及第3区域内；以及第3主电极，在所述层叠体的主面上夹着所述第2主电极而设在与所述控制电极相反的一侧。