公开(公告)号：CN1770328A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107609.X

申请日：2005-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部浩 ,  加藤秀雄 ,  葛西央伦 ,  成毛清实 ,  佐佐木启行

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/3404

Abstract: 在非易失半导体存储器件的数据擦除方法中，对存储单元进行以下处理：通过给其施加电压而执行编程，将存储单元的阈值给定值或以上；擦除这些存储单元，从而将它们的阈值设置为更低的值或以下；通过对所述存储单元施加更低的电压，在其阈值低于进一步低值的存储单元上只进行一次弱编程；当其阈值仍然低于进一步低值时，在该存储单元上重复进行弱编程，直到该值达到进一步更低值或以上为止；检验是否存在其阈值高于低值的存储单元；和在检验到存在上述存储单元时，将处理返回至将存储单元的阈值设置在低值或以下的处理。

公开(公告)号：CN101908007A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010122237.9

申请日：2010-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 近藤重雄 ,  成毛清实 ,  执行直之

IPC: G06F11/10 ,  G06F3/06

CPC classification number: G06F11/1044

Abstract: 本发明提供了存储系统和计算机系统。存储系统具有：存储芯片群，其分别具有按每个规定尺寸的单位区域分割管理的n个非易失性半导体存储器的芯片，上述n个芯片中的一个芯片的单位区域存储针对包含分别与上述单位区域对应的其他n-1个芯片的单位区域的群的纠错码，且每个存储上述纠错码的芯片的单位区域的位置互不相同；和访问处计算部，其在改写单位区域的数据时，将存储上述数据的纠错码的单位区域指定为改写数据的写入处，将存储有改写前的数据的单位区域指定为新纠错码的存储处。

公开(公告)号：CN100479064C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510107609.X

申请日：2005-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部浩 ,  加藤秀雄 ,  葛西央伦 ,  成毛清实 ,  佐佐木启行

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/3404

Abstract: 在非易失半导体存储器件的数据擦除方法中，对存储单元进行以下处理：通过给其施加电压而执行编程，将存储单元的阈值给定值或以上；擦除这些存储单元，从而将它们的阈值设置为更低的值或以下；通过对所述存储单元施加更低的电压，在其阈值低于进一步低值的存储单元上只进行一次弱编程；当其阈值仍然低于进一步低值时，在该存储单元上重复进行弱编程，直到该值达到进一步更低值或以上为止；检验是否存在其阈值高于低值的存储单元；和在检验到存在上述存储单元时，将处理返回至将存储单元的阈值设置在低值或以下的处理。