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公开(公告)号：CN1181554C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN01145624.8
申请日：2001-10-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/105 , H01L27/112 , H01L29/78 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L21/823418 , H01L21/823468 , H01L27/105 , H01L27/11546 , Y10S257/90
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一晶体管，具有在半导体衬底上形成的第一栅极、在该第一栅极周围形成的第一低浓度扩散层、在该第一低浓度扩散层的周围形成的第一高浓度扩散层、在该第一栅极周围形成的第一栅极侧壁；第二晶体管，具有在半导体衬底上形成的第二栅极、在该第二栅极周围形成的第二低浓度扩散层、在该第二低浓度扩散层的周围形成的第二高浓度扩散层、在该第二栅极周围形成的厚度与第一晶体管的第一栅极侧壁相同的第二栅极侧壁，第二低浓度扩散层从第二栅极至第二高浓度扩散层的尺寸大于第一低浓度扩散层从第一栅极至第一高浓度扩散层的尺寸。
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公开(公告)号：CN1770328A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510107609.X
申请日：2005-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/3404
Abstract: 在非易失半导体存储器件的数据擦除方法中，对存储单元进行以下处理：通过给其施加电压而执行编程，将存储单元的阈值给定值或以上；擦除这些存储单元，从而将它们的阈值设置为更低的值或以下；通过对所述存储单元施加更低的电压，在其阈值低于进一步低值的存储单元上只进行一次弱编程；当其阈值仍然低于进一步低值时，在该存储单元上重复进行弱编程，直到该值达到进一步更低值或以上为止；检验是否存在其阈值高于低值的存储单元；和在检验到存在上述存储单元时，将处理返回至将存储单元的阈值设置在低值或以下的处理。
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公开(公告)号：CN100479064C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510107609.X
申请日：2005-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/3404
Abstract: 在非易失半导体存储器件的数据擦除方法中，对存储单元进行以下处理：通过给其施加电压而执行编程，将存储单元的阈值给定值或以上；擦除这些存储单元，从而将它们的阈值设置为更低的值或以下；通过对所述存储单元施加更低的电压，在其阈值低于进一步低值的存储单元上只进行一次弱编程；当其阈值仍然低于进一步低值时，在该存储单元上重复进行弱编程，直到该值达到进一步更低值或以上为止；检验是否存在其阈值高于低值的存储单元；和在检验到存在上述存储单元时，将处理返回至将存储单元的阈值设置在低值或以下的处理。
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公开(公告)号：CN1354522A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN01145624.8
申请日：2001-10-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/105 , H01L27/112 , H01L29/78 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L21/823418 , H01L21/823468 , H01L27/105 , H01L27/11546 , Y10S257/90
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括:第一晶体管,具有在半导体衬底上形成的第一栅极、在该第一栅极周围形成的第一低浓度扩散层、在该第一低浓度扩散层的周围形成的第一高浓度扩散层、在该第一栅极周围形成的第一栅极侧壁;第二晶体管,具有在半导体衬底上形成的第二栅极、在该第二栅极周围形成的第二低浓度扩散层、在该第二低浓度扩散层的周围形成的第二高浓度扩散层、在该第二栅极周围形成的厚度与第一晶体管的第一栅极侧壁相同的第二栅极侧壁,第二低浓度扩散层从第二栅极至第二高浓度扩散层的尺寸大于第一低浓度扩散层从第一栅极至第一高浓度扩散层的尺寸。
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