-
公开(公告)号:CN1179013A
公开(公告)日:1998-04-15
申请号:CN97122820.5
申请日:1997-09-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/56 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L33/54 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 提供即使在用热塑性树脂形成封装的情况下也能确保可靠性的半导体器件。它配有:在由热塑性树脂构成的封装部分34内部把前端部分31a、32a按各自预定长度配置,同时保持预定间隔的第1引线框架31和第2引线框架32;形成在第1和第2引线框架31、32的表面上由封装部分34的外部向内部形成焊料薄膜部分36a、36b;在第1引线框架31的前端部分装载的发光半导体元件33;一端与该发光半导体元件33的电极E连接,另一端与第2引线框架32的前端部分连接键合线33a。
-
公开(公告)号:CN1449059A
公开(公告)日:2003-10-15
申请号:CN03108616.0
申请日:2003-03-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L31/0203 , H01L31/02327 , H01L31/1013 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257
Abstract: 一种光半导体器件,具备光敏元件(10),带有在可见光区和红外区分别具有峰值波长敏感度的两个光电二极管的光接受部(7),和对各个输出进行放大·运算处理的放大运算处理电路(8),光接受部(7)的衬底电阻率、与封装厚度对应的芯片厚度比、从光敏元件边缘到安装底盘边缘的距离和放大运算处理中的减法倍率系数(α)得以最佳化。
-
公开(公告)号:CN100382345C
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200410104168.3
申请日:2004-12-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/60 , H01L2224/32013 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明可防止由于树脂在反射面爬升造成反射面的集光效果低下的情形,包括引线(20),光半导体组件(23)设置于其上且用于从外部对光半导体组件(23)传送电力,以及一外围构件(30)以保持该引线(20),且形成一凹部以暴露出光半导体组件(23)的联机区域。其中该外围构件被形成包括第1凹部(50),可以容置光半导体组件与光学树脂材料;第2凹部(60)具有反射面(61),被配置以围绕第1凹部(50),使从第1凹部(50)发出的光反射;以及突条部(70),在第1凹部(50)与第2凹部(60)之间,在光学树脂材料被填入第1凹部(50)之际,可以防止光学树脂材料在第2凹部(60)的浸湿爬升。
-
公开(公告)号:CN1225031C
公开(公告)日:2005-10-26
申请号:CN03108616.0
申请日:2003-03-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/103 , H01L27/144
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L31/0203 , H01L31/02327 , H01L31/1013 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257
Abstract: 一种光半导体器件,具备光敏元件(10),带有在可见光区和红外区分别具有峰值波长敏感度的两个光电二极管的光接收部(7),和对各个输出进行放大·运算处理的放大运算电路(8),光接收部(7)的衬底电阻率、与封装厚度对应的芯片厚度比、从光敏元件边缘到安装底盘边缘的距离和放大运算处理中的减法倍率系数(α)得以最佳化。
-
公开(公告)号:CN1638164A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN200410104168.3
申请日:2004-12-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/60 , H01L2224/32013 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明可防止由于树脂在反射面爬升造成反射面的集光效果低下的情形,包括引线20,其被设置于光半导体组件23上且用于从外部从对光半导体组件23传送电力,以及一外围构件30以保持该引线20,且形成一凹部以暴露出光半导体组件23的联机区域。其中该外围构件被形成包括第1凹部50,可以容置光半导体组件与光学树脂材料;第2凹部60具有反射面61,被配置以围绕第1凹部50,使从第1凹部50发出的光反射;以及突条部70,在第1凹部50与第2凹部60之间,在光学树脂材料被填入第1凹部50之际,可以防止光学树脂材料在第2凹部60的浸湿爬升。
-
公开(公告)号:CN1095202C
公开(公告)日:2002-11-27
申请号:CN97122820.5
申请日:1997-09-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/56 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L33/54 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 提供即使在用热塑性树脂形成封装的情况下也能确保可靠性的半导体器件。它配有:在由热塑性树脂构成的封装部分34内部把前端部分31a、32a按各自预定长度配置,同时保持预定间隔的第1引线框架31和第2引线框架32;形成在第1和第2引线框架31、32的表面上由封装部分34的外部向内部形成焊料薄膜部分36a、36b;在第1引线框架31的前端部分装载的发光半导体元件33;一端与该发光半导体元件33的电极E连接,另一端与第2引线框架32的前端部分连接键合线33a。
-
-
-
-
-