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公开(公告)号：CN1469467A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03137177.9
申请日：2003-06-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开一种半导体器件，包括：半导体基板；在所述的半导体基板上形成在同一平面的第一金属布线和熔丝；在所述第一金属布线和所述熔丝上形成的第一绝缘膜，所述的第一绝缘膜具有到达所述第一金属布线的第一焊盘开口；至少在所述的第一焊盘开口内形成的第二金属布线，所述的第二金属布线不在所述的熔丝上延伸；在所述的第一绝缘膜和所述的第二金属布线上形成的停止层膜；以及在所述的停止层膜上形成的第二绝缘膜，其中通过除去所述的第二绝缘膜和所述的停止层膜形成第二焊盘开口，以露出所述的第二金属布线。通过除去所述的第二绝缘膜和所述的停止层膜以及通过不完全地除去所述的第一绝缘膜至少在所述的熔丝上形成熔丝开口。
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公开(公告)号：CN105973175A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610134471.0
申请日：2016-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01B15/02
CPC classification number: G01B15/025 , G01B15/00 , G01N23/043 , G01N23/06 , G21K1/02 , G01B15/02
Abstract: 根据实施例，提供了一种定量地评估铜焊接合长度的设备(10)。辐射发射单元(12)向多个局部样品中的每个局部样品发射辐射，所述多个局部样品是通过在垂直于铜焊接合长度方向的平面内切割样品而获得的。光生成器(16)生成具有对应于透射辐射的强度的量的光。成像单元(18)拍摄该光。计算器(20)在铜焊接合长度与光量之间的相关性的基础上根据关于所述局部样品中的每个局部样品所获得的光量来计算所述局部样品中的每个局部样品的铜焊接合长度。计算器(20)还通过对各个局部样品的铜焊接合长度进行求总和来计算所述样品的铜焊接合长度。
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公开(公告)号：CN105973175B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610134471.0
申请日：2016-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01B15/02
Abstract: 根据实施例，提供了一种定量地评估铜焊接合长度的设备(10)。辐射发射单元(12)向多个局部样品中的每个局部样品发射辐射，所述多个局部样品是通过在垂直于铜焊接合长度方向的平面内切割样品而获得的。光生成器(16)生成具有对应于透射辐射的强度的量的光。成像单元(18)拍摄该光。计算器(20)在铜焊接合长度与光量之间的相关性的基础上根据关于所述局部样品中的每个局部样品所获得的光量来计算所述局部样品中的每个局部样品的铜焊接合长度。计算器(20)还通过对各个局部样品的铜焊接合长度进行求总和来计算所述样品的铜焊接合长度。
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公开(公告)号：CN1275324C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN03137177.9
申请日：2003-06-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开一种半导体器件，包括：半导体基板；在所述的半导体基板上形成在同一平面的第一金属布线和熔丝；在所述第一金属布线和所述熔丝上形成的第一绝缘膜，所述的第一绝缘膜具有到达所述第一金属布线的第一焊盘开口；至少在所述的第一焊盘开口内形成的第二金属布线，所述的第二金属布线不在所述的熔丝上延伸；在所述的第一绝缘膜和所述的第二金属布线上形成的停止层膜；以及在所述的停止层膜上形成的第二绝缘膜，其中通过除去所述的第二绝缘膜和所述的停止层膜形成第二焊盘开口，以露出所述的第二金属布线。通过除去所述的第二绝缘膜和所述的停止层膜以及通过不完全地除去所述的第一绝缘膜至少在所述的熔丝上形成熔丝开口。
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