功率模块
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112635410B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202010579237.5

    申请日:2020-06-23

    Abstract: 本发明提供一种可靠性高的功率模块。功率模块具备:基板,具有第一面;多个电极板,设于所述第一面;半导体芯片,设于所述第一面上;导线,与所述半导体芯片和一个所述电极板连接;金属部件,与一个所述电极板连接;端子板;第一树脂层,在内部配置有所述半导体芯片与所述导线的连接部;以及第二树脂层,设于所述第一树脂层上,弹性率比所述第一树脂层的弹性率低。所述端子板具有:接合部,与所述金属部件的上表面相接,并沿着所述上表面延伸;弯曲部,从所述接合部朝向上方弯曲;以及引出部,被从所述弯曲部引出到外部。所述第二树脂层在内部配置有所述弯曲部,所述接合部的下表面距所述第一面的长度比所述连接部距所述第一面的长度长。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112542438A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202010959502.2

    申请日:2020-09-14

    Inventor: 山口翔 唐泽纯

    Abstract: 根据一个实施方式的半导体装置包括第一引线框架、第二引线框架、半导体芯片和导电部件。第二引线框架具有设置有凹部的第一面,并且与第一引线框架分离。半导体芯片搭载于第一引线框架。导电部件具有第二面,该第二面通过导电粘合剂连接至第一面,第二面具有至少部分地容纳在所述凹部中的凸部,并且导电部件将半导体芯片和第二引线框架彼此电连接。所述凹部和所述凸部在沿着第一面延伸的第一方向上的长度,大于沿着第一面并且正交于第一方向的第二方向上的长度。

    半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112542438B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202010959502.2

    申请日:2020-09-14

    Inventor: 山口翔 唐泽纯

    Abstract: 根据一个实施方式的半导体装置包括第一引线框架、第二引线框架、半导体芯片和导电部件。第二引线框架具有设置有凹部的第一面,并且与第一引线框架分离。半导体芯片搭载于第一引线框架。导电部件具有第二面,该第二面通过导电粘合剂连接至第一面,第二面具有至少部分地容纳在所述凹部中的凸部,并且导电部件将半导体芯片和第二引线框架彼此电连接。所述凹部和所述凸部在沿着第一面延伸的第一方向上的长度,大于沿着第一面并且正交于第一方向的第二方向上的长度。

    功率模块
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112635410A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202010579237.5

    申请日:2020-06-23

    Abstract: 本发明提供一种可靠性高的功率模块。功率模块具备:基板,具有第一面;多个电极板,设于所述第一面;半导体芯片,设于所述第一面上;导线,与所述半导体芯片和一个所述电极板连接;金属部件,与一个所述电极板连接;端子板;第一树脂层,在内部配置有所述半导体芯片与所述导线的连接部;以及第二树脂层,设于所述第一树脂层上,弹性率比所述第一树脂层的弹性率低。所述端子板具有:接合部,与所述金属部件的上表面相接,并沿着所述上表面延伸;弯曲部,从所述接合部朝向上方弯曲;以及引出部,被从所述弯曲部引出到外部。所述第二树脂层在内部配置有所述弯曲部,所述接合部的下表面距所述第一面的长度比所述连接部距所述第一面的长度长。

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