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公开(公告)号：CN105830164A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201380081671.9
申请日：2013-12-18
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 实施方式的半导体存储装置具备第1至第3页、第1至第3字线、向第1存储单元以及第2存储单元的栅施加电压的行解码器。在数据的写入时，向第1页写入数据，然后向第2页写入数据。行解码器在编程校验动作时，向第1存储单元至第3存储单元的栅施加第1至第3校验电压。
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