公开(公告)号：CN1267912A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN00104393.5

申请日：2000-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 及川靖 ,  和田纯一 ,  坚田富夫

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76882 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 不会增加电阻和降低抗EM能力及引起Al凝结的在高宽比高的连接孔内形成Al镶嵌布线的技术。通过形成覆盖连接孔及布线沟(凹部)的内表面的Nb衬膜6,利用溅射在Nb衬膜6上形成不填充凹部内部的第一Al膜7,使其表面吸附氧气8,边加热Si衬底1边在包含凹部的区域上形成第二Al膜而以第一及第二Al膜7填充凹部内部,最后利用CMP去除凹部外部剩余的第一及第二Al膜7。

公开(公告)号：CN1165991C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN00104393.5

申请日：2000-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 及川靖 ,  和田纯一 ,  坚田富夫

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76882 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 不会增加电阻和降低抗EM能力及引起Al凝结的在高宽比高的连接孔内形成Al镶嵌布线的技术。通过形成覆盖连接孔及布线沟(凹部)的内表面的Nb衬膜6，利用溅射在Nb衬膜6上形成不填充凹部内部的第一Al膜7，使其表面吸附氧气8，边加热Si衬底1边在包含凹部的区域上形成第二Al膜而以第一及第二Al膜7填充凹部内部，最后利用CMP去除凹部外部剩余的第一及第二Al膜7。