公开(公告)号：CN106206535A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510848078.3

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久米一平 ,  内田健悟

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够向TSV内稳定地埋设金属等的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体基板，设有从第1面贯通至与所述第1面为相反侧的第2面的贯通孔；器件层，位于所述半导体基板的所述第1面，且包含配线；第1绝缘层，覆盖所述器件层；第1贯通电极，贯通所述第1绝缘层；第2绝缘层，从所述半导体基板的所述第2面上，穿过所述半导体基板的所述贯通孔的内侧面而到达所述器件层，且与所述器件层接触的部分的形状为锥形状；以及第2贯通电极，从所述第2绝缘层上穿过所述半导体基板的所述贯通孔内而与所述配线电连接。

公开(公告)号：CN106206420A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610121743.3

申请日：2016-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 内田健悟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03005 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/1068

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高晶片的上表面与支撑衬底的接合强度的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置半导体衬底(11)的上表面；绝缘层(13)，位于元件层(12)上；以及贯通电极(143)，包含主体部(143b)及头部(143c)，且经由绝缘层(13)的贯通孔而与元件层(12)中的上层配线(121)电连接，该主体部(143b)位于设置在绝缘层(13)的贯通孔内，该头部(143c)位于绝缘层(13)上，且相比于主体部(143b)直径扩大；而且头部(143c)的下表面侧的轮廓(143e)的尺寸可小于头部(143c)的上表面侧的轮廓(143d)的尺寸。(1)具备：半导体衬底(11)；元件层(12)，位于

公开(公告)号：CN106206416A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510848888.9

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久米一平 ,  内田健悟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/11 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明提供一种能够将金属等稳定地埋设在TSV内的半导体装置的制造方法以及半导体装置。实施方式的半导体装置(1)可具备：半导体基板(11)，设有贯通孔(180H)；器件层(12)，包含下层配线(122)；绝缘层(13)，覆盖器件层(12)；第1贯通电极(14)，贯通绝缘层(13)；第1绝缘膜(171/172)，设有直径与半导体基板(11)的贯通孔(180H)的开口径实质上相同或大于该开口径的开口；第2绝缘膜(173)，位于第1绝缘膜(171/172)上至半导体基板(11)的贯通孔(180H)的内侧面；以及第2贯通电极(18)，从第2绝缘膜内与器件层(12)中的下层配线(122)电连接。(173)上经由半导体基板(11)的贯通孔(180H)

公开(公告)号：CN115754349A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210176109.5

申请日：2022-02-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 增西桂 ,  富泽泰 ,  小川悦治 ,  丸藤龙之介 ,  加治志织 ,  平贺广贵 ,  宫崎史登 ,  小野大骑 ,  内田健悟

IPC: G01P15/097 ,  G01P3/14 ,  G01P1/00 ,  B81B3/00

Abstract: 本发明提供能够提高特性的传感器和电子装置。根据实施方式，传感器包括基体、第1支承部和第1可动部。第1支承部固定于基体。第1可动部支承于第1支承部并与基体分离。第1可动部包括第1可动基部、第2可动基部、连接基部、第1可动梁、第2可动梁、第1可动导电部和第2可动导电部。第1可动导电部包括第1延伸导电部和第1另一延伸导电部。第2可动导电部包括第2延伸导电部和第2另一延伸导电部。