Patent search ap:("株式会社东芝") AND inv:"八寻和之" Page 1

1.

发明授权
电镀装置、电镀方法和半导体器件的制造方法失效

公开(公告)号：CN100342062C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200410096554.2

申请日：2004-11-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丰田启 , 松井嘉孝 , 八寻和之 , 山边纯成 , 三岛志朗 , 永松贵人

IPC: C25D7/12 , C25D5/18 , H01L21/768 , H01L21/00

CPC classification number: C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/10 , C25D21/00 , H01L21/2885 , H01L21/76877

Abstract: 根据本发明的一个实施例，提供一种电镀装置，包括：贮存电镀溶液的电镀溶液槽；在电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器；放在电镀溶液槽中的第一阳极，该第一阳极由氧化-还原电位比构成籽晶层的金属的氧化-还原电位更高的阳极金属构成，并且电连接到由固定器固定的衬底的籽晶层上；以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极，该第二阳极能够在由固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。

2.

发明公开
电镀装置、电镀方法和半导体器件的制造方法失效

公开(公告)号：CN1624208A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410096554.2

申请日：2004-11-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丰田启 , 松井嘉孝 , 八寻和之 , 山边纯成 , 三岛志朗 , 永松贵人

IPC: C25D7/12 , C25D5/18 , H01L21/768 , H01L21/00

CPC classification number: C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/10 , C25D21/00 , H01L21/2885 , H01L21/76877

Abstract: 根据本发明的一个实施例，提供一种电镀装置，包括：贮存电镀溶液的电镀溶液槽；在电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器；放在电镀溶液槽中的第一阳极，该第一阳极由氧化－还原电位比构成籽晶层的金属的氧化－还原电位更高的阳极金属构成，并且电连接到由固定器固定的衬底的籽晶层上；以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极，该第二阳极能够在由固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。

3.

发明公开
半导体装置的制造方法失效

公开(公告)号：CN1134604A

公开(公告)日：1996-10-30

申请号：CN95120132.8

申请日：1995-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 八寻和之

IPC: H01L21/316 , H01L21/324 , H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31608 , H01L21/31612 , H01L21/76801 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , Y10S438/902

Abstract: 本方法提高了半导体基板上形成回流绝缘膜的抗裂性并确保其平坦化所需的膜厚。其特征是具备下述工序：在基板上形成下层布线32后，形成厚度大于0.1μm的第1等离子体SiO2膜33；使SiH4气体和H2O2在低于650Pa的真空中，在-10℃以上+10℃以下范围内相互反应，在基板上形成厚度大于0.4μm小于1.4μm的回流SiO2膜34；之后，在规定真空中把基板放置30秒以上；在高于300℃不到450℃的高温中放置120秒以上600秒以下；在基板上形成厚度大于0.3μm的第2等离子体SiO2膜35。

4.

发明授权
半导体装置的制造方法失效

公开(公告)号：CN1082721C

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN95120132.8

申请日：1995-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 八寻和之

IPC: H01L21/316 , H01L21/324 , H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31608 , H01L21/31612 , H01L21/76801 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , Y10S438/902

Abstract: 本方法提高了半导体基板上形成回流绝缘膜的抗裂性并确保其平坦化所需的膜厚。其特征是具备下述工序：在基板上形成下层布线32后，形成厚度大于0.1μm的第1等离子体SiO2膜33；使SiH4气体和H2O2在低于650Pa的真空中，在-10℃以上+10℃以下范围内相互反应，在基板上形成厚度大于0.4μm小于1.4μm的回流SiO2膜34；之后，在规定真空中把基板放置30秒以上；在高于300℃不到450℃的高温中放置120秒以上600秒以下；在基板上形成厚度大于0.3μm的第2等离子体SiO2膜35。

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