公开(公告)号：CN1350331A

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：CN01137184.6

申请日：2001-10-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 泷场明 ,  衣笠昌典 ,  伊藤佳充 ,  水田胜

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 半导体装置具备供给电源电位的电源端子和供给基准电位的基准端子、第1、第2p沟和第1、第2n沟MOS晶体管。第1p沟MOS晶体管的栅极、源极和背面栅极连接电源端子。第2p沟MOS晶体管的源极连接第1p沟MOS晶体管的漏极,背面栅极连接电源端子,栅极和漏极连接基准端子。第1n沟MOS晶体管的栅极、源极和背面栅极连接基准端子。第2n沟MOS晶体管的源极连接第1n沟MOS晶体管的漏极,背面栅极连接基准端子,栅极和漏极连接电源端子。

公开(公告)号：CN1230902C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN01137184.6

申请日：2001-10-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 泷场明 ,  衣笠昌典 ,  伊藤佳充 ,  水田胜

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 半导体装置具备供给电源电位的电源端子和供给基准电位的基准端子、第1、第2p沟和第1、第2n沟MOS晶体管。第1p沟MOS晶体管的栅极、源极和背面栅极连接电源端子。第2p沟MOS晶体管的源极连接第1p沟MOS晶体管的漏极，背面栅极连接电源端子，栅极和漏极连接基准端子。第1n沟MOS晶体管的栅极、源极和背面栅极连接基准端子。第2n沟MOS晶体管的源极连接第1n沟MOS晶体管的漏极，背面栅极连接基准端子，栅极和漏极连接电源端子。