公开(公告)号：CN102067375A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980123251.6

申请日：2009-06-22

Applicant: 松下电工株式会社 ,  日本曹达株式会社

Inventor： 神户伸吾(已逝) ,  关口隆史 ,  山田茂男 ,  大芦龙也

IPC: H01M14/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L51/4226 ,  H01G9/2022 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0086 ,  H01L51/442 ,  H01L2251/306 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明的色素增感太阳能电池，其特征在于，包括在一侧的表面具有担载有增感色素的半导体层的电极、与所述半导体层相对配置的对电极、以及配置于所述电极和所述对电极之间的电荷输送层，所述电极和所述对电极的至少一者为ITO膜和FTO膜层叠而成的透明导电膜，并且，FTO膜表面的晶体结构的一部分或全部为斜方晶。

公开(公告)号：CN102067243B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200980123521.3

申请日：2009-06-22

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 山田茂男 ,  大芦龙也

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/04 ,  H01M14/00

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1258 ,  C23C18/1291 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/442 ,  H01L2251/306 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种透明导电膜，其特征在于，是用于在基材上层叠的包含ITO膜和FTO膜的透明导电膜，FTO膜的表面的晶体结构的一部分或全部为斜方晶；还提供一种透明导电膜，其特征在于，是用于在基材上层叠的包含ITO膜和FTO膜的透明导电膜，FTO膜的膜厚度为5nm～20nm、且FTO膜为连续膜。另外，本发明提供上述透明导电膜的制备方法，其特征是通过高温溶胶法在基材上形成ITO膜后，在ITO膜上连续地形成FTO膜。

公开(公告)号：CN1795516A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014274.0

申请日：2004-05-26

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 神田广行 ,  濑田康弘 ,  大芦龙也

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  B32B7/02

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C18/1258 ,  G02F1/13439

Abstract: 本发明的目的是提供充分高透明的、带有透明导电膜的透光性基板，其是在透光性基板上形成有膜厚为12～2nm的连续的透明导电膜的带有透明导电膜的透光性基板，透明导电膜优选为柱状单晶的集合体，透明导电膜的最大表面粗糙度为1～20nm，透明导电膜的平均表面粗糙度为0.1～10nm的范围，透明导电膜是掺杂有锡的氧化铟薄膜，锡原子均匀地分布在掺杂有锡的氧化铟薄膜中，该基板对于波长400nm的光的穿透率为88％或更多，对于波长350nm的光的穿透率为85％或更多，对于全部光线的穿透率为90％或更多。

公开(公告)号：CN102067375B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN200980123251.6

申请日：2009-06-22

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 神户伸吾 ,  关口隆史 ,  山田茂男 ,  大芦龙也

IPC: H01G9/20

CPC classification number: H01L51/4226 ,  H01G9/2022 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0086 ,  H01L51/442 ,  H01L2251/306 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明的色素增感太阳能电池，其特征在于，包括在一侧的表面具有担载有增感色素的半导体层的电极、与所述半导体层相对配置的对电极、以及配置于所述电极和所述对电极之间的电荷输送层，所述电极和所述对电极的至少一者为ITO膜和FTO膜层叠而成的透明导电膜，并且，FTO膜表面的晶体结构的一部分或全部为斜方晶。

公开(公告)号：CN1795516B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN200480014274.0

申请日：2004-05-26

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 神田广行 ,  濑田康弘 ,  大芦龙也

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  B32B7/02

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C18/1258 ,  G02F1/13439

Abstract: 本发明的目的是提供充分高透明的、带有透明导电膜的透光性基板，其是在透光性基板上形成有膜厚为12～2nm的连续的透明导电膜的带有透明导电膜的透光性基板，透明导电膜优选为柱状单晶的集合体，透明导电膜的最大表面粗糙度为1～20nm，透明导电膜的平均表面粗糙度为0.1～10nm的范围，透明导电膜是掺杂有锡的氧化铟薄膜，锡原子均匀地分布在掺杂有锡的氧化铟薄膜中，该基板对于波长400nm的光的穿透率为88％或更多，对于波长350nm的光的穿透率为85％或更多，对于全部光线的穿透率为90％或更多。

公开(公告)号：CN102067243A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980123521.3

申请日：2009-06-22

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 山田茂男 ,  大芦龙也

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/04 ,  H01M14/00

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1258 ,  C23C18/1291 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/442 ,  H01L2251/306 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种透明导电膜，其特征在于，是用于在基材上层叠的由ITO膜和FTO膜组成的透明导电膜，FTO膜的表面的晶体结构的一部分或全部为斜方晶；还提供一种透明导电膜，其特征在于，是用于在基材上层叠的由ITO膜和FTO膜组成的透明导电膜，FTO膜的膜厚度为5nm～20nm、且FTO膜为连续膜。另外，本发明提供上述透明导电膜的制备方法，其特征是通过高温溶胶法在基材上形成ITO膜后，在ITO膜上连续地形成FTO膜。