公开(公告)号：CN1795516B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN200480014274.0

申请日：2004-05-26

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 神田广行 ,  濑田康弘 ,  大芦龙也

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  B32B7/02

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C18/1258 ,  G02F1/13439

Abstract: 本发明的目的是提供充分高透明的、带有透明导电膜的透光性基板，其是在透光性基板上形成有膜厚为12～2nm的连续的透明导电膜的带有透明导电膜的透光性基板，透明导电膜优选为柱状单晶的集合体，透明导电膜的最大表面粗糙度为1～20nm，透明导电膜的平均表面粗糙度为0.1～10nm的范围，透明导电膜是掺杂有锡的氧化铟薄膜，锡原子均匀地分布在掺杂有锡的氧化铟薄膜中，该基板对于波长400nm的光的穿透率为88％或更多，对于波长350nm的光的穿透率为85％或更多，对于全部光线的穿透率为90％或更多。

公开(公告)号：CN1795516A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014274.0

申请日：2004-05-26

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 神田广行 ,  濑田康弘 ,  大芦龙也

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  B32B7/02

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C18/1258 ,  G02F1/13439

Abstract: 本发明的目的是提供充分高透明的、带有透明导电膜的透光性基板，其是在透光性基板上形成有膜厚为12～2nm的连续的透明导电膜的带有透明导电膜的透光性基板，透明导电膜优选为柱状单晶的集合体，透明导电膜的最大表面粗糙度为1～20nm，透明导电膜的平均表面粗糙度为0.1～10nm的范围，透明导电膜是掺杂有锡的氧化铟薄膜，锡原子均匀地分布在掺杂有锡的氧化铟薄膜中，该基板对于波长400nm的光的穿透率为88％或更多，对于波长350nm的光的穿透率为85％或更多，对于全部光线的穿透率为90％或更多。