公开(公告)号：CN101615631A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910149437.0

申请日：2009-06-22

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 砂田卓也 ,  楠田和彦 ,  吉田岳司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/78624 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种减少由于寄生电容引起的输出电容的半导体器件。多个通孔在半导体衬底位于漏极区(P型阱区之外的元件区域)之下的区域中形成。根据该配置，可以减少漏极区和半导体衬底的相对面积。因此，减少了漏极－衬底电容Cdsub，以及作为结果可以减少SOI LDMOSFET的输出电容Coss。