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公开(公告)号：CN100422380C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN01121971.8
申请日：2001-06-22
IPC: C23C14/24 , C23C14/12 , H01L21/203
Abstract: 一真空蒸镀设备，该设备包括：具有多个蒸发源和一第一加热器的一真空室，所述第一加热器用于加热蒸发源以实现在该真空室内的至少一基片的一表面上的真空蒸镀；诸蒸发源中的至少一个使用一有机材料；一热壁，所述热壁位于真空室内；一将热壁加热到该有机材料既不附着又不分解的一温度的第二加热器，所述热壁包围诸蒸发源和基片在其内相互面对的一空间；以及，通过加热诸蒸发源同时使诸蒸发源和基片彼此相对移动，使所述有机材料被蒸镀在基片的表面上。
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公开(公告)号：CN1197702C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN00802504.5
申请日：2000-11-09
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: B32B9/00 , C01B33/159
CPC classification number: C23C16/045 , B05D1/202 , C03C17/34 , C03C17/3411 , C03C17/3417 , C03C17/36 , C03C17/42 , C03C2217/75 , C03C2217/76 , C03C2218/32 , C23C14/046 , C23C14/06 , G02B6/02042 , G02B6/122 , H01L33/005 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L51/5262 , H05K1/0306 , Y10S428/913 , Y10T428/24917
Abstract: 提供一种可用作导电性基板、绝热性基板、光导基板、发光元件用基板或发光元件等的气凝胶基板。该气凝胶基板的特征在于包含功能性层和气凝胶层，在功能性层与气凝胶层之间夹着可使功能性层均匀形成的中间层。该中间层通过气相法、L-B法或无机层状化合物的吸附等而形成于气凝胶层的至少一个表面，或者通过对气凝胶层的至少一个表面进行亲水化处理、再涂布水性涂液后干燥而形成，也可通过将气凝胶层的至少一个表面加热、退火处理而形成，还可通过对气凝胶层的至少一个表面进行亲水化处理而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1296295A
公开(公告)日：2001-05-23
申请号：CN00128311.1
申请日：2000-11-10
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L51/524
Abstract: 本发明的目的是提供一种光出射到外部的出射率高、表面亮度高的发光元件以及此发光元件用的基板及此发光元件制造的方法。本发明提供了一种具有与大于1而小于1.30折射率的低折射率体的至少一个表面接触的透明导电性膜的发光元件用基板。对于这种发光元件,将穿过低折射率体的光出射到大气中的出射率特别高,即将光出射到外部的出射率很高。
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公开(公告)号：CN1335805A
公开(公告)日：2002-02-13
申请号：CN00802504.5
申请日：2000-11-09
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: B32B9/00 , C01B33/159
CPC classification number: C23C16/045 , B05D1/202 , C03C17/34 , C03C17/3411 , C03C17/3417 , C03C17/36 , C03C17/42 , C03C2217/75 , C03C2217/76 , C03C2218/32 , C23C14/046 , C23C14/06 , G02B6/02042 , G02B6/122 , H01L33/005 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L51/5262 , H05K1/0306 , Y10S428/913 , Y10T428/24917
Abstract: 提供一种可用作导电性基板、绝热性基板、光导基板、发光元件用基板或发光元件等的气凝胶基板。该气凝胶基板的特征在于包含功能性层和气凝胶层,在功能性层与气凝胶层之间夹着可使功能性层均匀形成的中间层。该中间层通过气相法、L－B法或无机层状化合物的吸附等而形成于气凝胶层的至少一个表面,或者通过对气凝胶层的至少一个表面进行亲水化处理、再涂布水性涂液后干燥而形成,也可通过将气凝胶层的至少一个表面加热、退火处理而形成,还可通过对气凝胶层的至少一个表面进行亲水化处理而形成。
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公开(公告)号：CN1333385A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01121971.8
申请日：2001-06-22
CPC classification number: C23C14/541 , C23C14/12 , C23C14/24
Abstract: 一真空蒸镀设备包括具有多个蒸发源和一加热器的一真空室,加热器加热诸蒸发源以实现在真空室内的至少一基片的一表面上的真空蒸镀。至少一蒸发源利用一有机材料,将包围诸蒸发源和诸蒸发源和基片在内相互面对的一空间的一热壁加热至该有机材料既不附着又不分解的一温度。通过加热诸蒸发源同时使诸蒸发源和基片彼此相对运动使该有机材料蒸镀在基片的表面上。
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公开(公告)号：CN101981711A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980110753.5
申请日：2009-03-23
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种具有改善的内部量子效率的发光层和具有高的光输出的氮化物半导体发光器件。所述氮化物半导体发光器件包括用于外延生长的单晶衬底(1)、形成在单晶衬底(1)的上表面侧上的第一缓冲层(2)、形成在第一缓冲层(2)的上表面侧上的n-型氮化物半导体层(3)、通过第二缓冲层(4)形成在n-型氮化物半导体层(3)的上表面侧上的第三缓冲层(5)、形成在第三缓冲层(5)的上表面侧上的发光层(6)和形成在发光层(6)的上表面侧上的p-型氮化物半导体层(7)。第三缓冲层(5)用于减少发光层(6)中的线位错和剩余畸变，改善发光层(6)的基层的平坦度，以及进一步地通过利用第三缓冲层(5)中产生的载流子来改变发光层(6)中的压电场，并且在第三缓冲层(5)中添加Si充当施主的杂质。
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公开(公告)号：CN1221038C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN00128311.1
申请日：2000-11-10
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L51/524
Abstract: 本发明的目的是提供一种光出射到外部的出射率高、表面亮度高的发光元件以及此发光元件用的基板及此发光元件制造的方法。本发明提供了一种具有与大于1而小于1.30折射率的低折射率体的至少一个表面接触的透明导电性膜的发光元件用基板。对于这种发光元件，将穿过低折射率体的光出射到大气中的出射率特别高，即将光出射到外部的出射率很高。
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