公开(公告)号：CN1619416A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410097946.0

申请日：2001-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社PD服务

Inventor： 笹子胜 ,  远藤政孝 ,  久继德重

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/20 ,  G03F1/22

Abstract: 本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。本发明的制造方法包含以下工程：(a)准备具有开口的热吸收用掩膜的工程；(b)将图形用掩膜用基片配置到所述热吸收用掩膜的下方的工程；(c)在所述图形用掩膜用基片的下面上堆积感光胶的工程；(d)用所述热吸收用掩膜作掩膜，用能透过所述图形用掩膜用基片的放射线照射所述感光胶使所述感光胶图形化的工程；(e)用所述感光胶作掩膜，由刻蚀所述图形用掩膜用基片形成具有开口的图形用掩膜的工程。

公开(公告)号：CN1406392A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN01805602.4

申请日：2001-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社PD服务

Inventor： 笹子胜 ,  远藤政孝 ,  久继德重

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/20 ,  G03F1/22

Abstract: 本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。如图2所示，本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)具备由玻璃形成的框架(20)、设在框架(20)的下面上的硅板(15)、设在硅板(15)的下面上的热吸收用掩膜(16)、设在热吸收用掩膜(16)的下面上的硅板(11)和设在硅板(11)的下面上的镂空掩膜(14)。镂空掩膜(14)由硅基片形成，具备为形成感光胶图形的狭缝状的图形用开口(14a)。热吸收用掩膜(16)由覆盖了SiN膜的硅基片形成，具备与镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)几乎相同图形形成的狭缝状开口(16a)。如图3(a)所示，开口(16a)形成的大小不遮蔽形成感光胶图形必须的电子束。即，开口(16a)的大小设置的与图形用开口(14a)的大小一致或开口(16a)稍大。还有，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有贯通框架(20)及硅板(15)、使热吸收用掩膜(16)的上面内形成开口(16a)的区域暴露出来的大开口(20a)。进一步，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有使贯通硅板(11)、热吸收用掩膜(16)的下面内形成开口(16a)的区域和镂空掩膜(14)的上面内形成图形用开口(14a)的区域暴露出来的空洞部(11a)。在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)中，如图3(a)所示，镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)和热吸收用掩膜(16)的开口(16a)沿水平方向位置对准。

公开(公告)号：CN1203525C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN01805602.4

申请日：2001-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社PD服务

Inventor： 笹子胜 ,  远藤政孝 ,  久继德重

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/20 ,  G03F1/22

Abstract: 本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。如图2所示，本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)具备由玻璃形成的框架(20)、设在框架(20)的下面上的硅板(15)、设在硅板(15)的下面上的热吸收用掩膜(16)、设在热吸收用掩膜(16)的下面上的硅板(11)和设在硅板(11)的下面上的镂空掩膜(14)。镂空掩膜(14)由硅基片形成，具备为形成感光胶图形的狭缝状的图形用开口(14a)。热吸收用掩膜(16)由覆盖了SiN膜的硅基片形成，具备与镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)几乎相同图形形成的狭缝状开口(16a)。如图3(a)所示，开口(16a)形成的大小不遮蔽形成感光胶图形必须的电子束。即，开口(16a)的大小设置的与图形用开口(14a)的大小一致或开口(16a)稍大。还有，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有贯通框架(20)及硅板(15)、使热吸收用掩膜(16)的上面内形成开口(16a)的区域暴露出来的大开口(20a)。进一步，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有使贯通硅板(11)、热吸收用掩膜(16)的下面内形成开口(16a)的区域和镂空掩膜(14)的上面内形成图形用开口(14a)的区域暴露出来的空洞部(11a)。在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)中，如图3(a)所示，镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)和热吸收用掩膜(16)的开口(16a)沿水平方向位置对准。

公开(公告)号：CN100495205C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200510118182.3

申请日：2003-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041

Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。

公开(公告)号：CN100467541C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510005885.5

申请日：2005-01-27

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健 ,  岩渊元亮 ,  笹子胜 ,  中川秀夫

IPC: C08L83/04 ,  C08K3/36 ,  C08J5/18 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/06 ,  C08G77/08 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液和用于在通常使用的半导体制造工艺中易于形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备多孔膜形成用组合物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子(组分A)的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的多孔膜形成用组合物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括通过制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备多孔膜形成用组合物；将多孔膜形成用组合物施用于衬底上形成膜，干燥该膜，通过加热该干燥膜在去除交联性抑制剂的同时使粒子交联。

公开(公告)号：CN100456421C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200510009041.8

申请日：2005-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/11 ,  Y10S430/119 ,  Y10S430/123

Abstract: 本发明公开了一种阻挡膜形成用材料及使用它的图案形成方法。在衬底101上形成由化学放大型抗蚀剂形成的抗蚀膜102。接着，在抗蚀膜102上形成防止抗蚀膜中的成份溶解到液体浸渍用液体中，或防止液体浸渍用液体浸透到抗蚀膜102中的阻挡膜103。之后，在将液体浸渍用液体104供到阻挡膜103上的状态下，隔着阻挡膜103用曝光光105选择性地照射抗蚀膜102，进行图案曝光。接着，去掉阻挡膜103之后，再对已图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理。从而形成由抗蚀膜102构成的抗蚀图案102a。

公开(公告)号：CN101021010A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610100052.1

申请日：2006-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  村上友康

IPC: C23F4/00 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23F4/00 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明公开了一种干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法。目的在于：以实现在利用干蚀刻对含钨和碳的物质形成微小凹凸时的垂直剖面形状或正锥形剖面形状。并且，提供一种在含钨和碳的物质表面具备了垂直剖面形状或正锥形剖面形状的微小凹凸的模具。利用从混合气体生成的等离子体，对含钨和碳的物体进行蚀刻，该混合气体由含氟原子的气体、和含CN结合及氢原子的气体构成。

公开(公告)号：CN1746774A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510099184.2

申请日：2005-09-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/70733 ,  G03F7/70866 ,  Y10S430/146

Abstract: 本发明的曝光装置，具有曝光部，其配置在容器(30)中，在将浸液用液体(42)配置于在晶片(40)上成膜的抗蚀膜上的状态下，通过掩膜(41)对抗蚀膜照射曝光光。另外，还具有使已被曝光的抗蚀膜的表面干燥的干燥部。因此，本发明能够防止由在浸液光刻法中使用的液体的残留所引起的抗蚀膜的改性，可以得到具有良好形状的微细化图形。

公开(公告)号：CN1707757A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510074290.5

申请日：2005-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70891

Abstract: 一种半导体制造装置及图案形成方法，为得到由液体浸泡平板印刷制造的好的抗蚀膜的形状。由液体浸泡平板印刷的图案形成方法，在晶片(101)上形成抗蚀膜(102)，接下来，在形成的抗蚀膜(102)上填充了不饱和脂肪酸，例如包含三油酸甘油脂的葵花油或者橄榄油等的液体(103)的状态下，对抗蚀膜(102)进行有选择地照射曝光光线(104)来完成图案曝光。其后，对进行了图案曝光的抗蚀膜(102)进行显像，由抗蚀膜(102)形成抗蚀图案(102a)。

公开(公告)号：CN1661776A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510009041.8

申请日：2005-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/11 ,  Y10S430/119 ,  Y10S430/123

Abstract: 本发明公开了一种阻挡膜形成用材料及使用它的图案形成方法。在衬底101上形成由化学放大型抗蚀剂形成的抗蚀膜102。接着，在抗蚀膜102上形成防止抗蚀膜中的成分溶解到液体浸渍用液体中，或防止液体浸渍用液体浸透到抗蚀膜102中的阻挡膜103。之后，在将液体浸渍用液体104供到阻挡膜103上的状态下，隔着阻挡膜103用曝光光105选择性地照射抗蚀膜102，进行图案曝光。接着，去掉阻挡膜103之后，再对已图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理。从而形成由抗蚀膜102构成的抗蚀图案102a。