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公开(公告)号：CN103298740A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180063022.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C01B37/00
CPC classification number: C08K9/10 , C01B37/00 , C08K3/36 , H01L51/5275 , Y10T428/2993
Abstract: 本发明的目的是提供具有功能如低折射率(低n)、低介电常数(低k)和低热导率且也可以赋予模制制品更高的强度的中孔二氧化硅粒子。该中孔二氧化硅粒子各自包含核粒子，所示核粒子包含第一中孔，其中所述核粒子的外周被二氧化硅覆盖。优选地，在通过二氧化硅覆盖形成的所述二氧化硅覆盖的部分中设置小于所述第一中孔的第二中孔。所述的中孔二氧化硅粒子通过以下方式制备：将表面活性剂、水、碱、含有疏水性部分的添加剂和二氧化硅源混合从而制备表面活性剂复合二氧化硅粒子的表面活性剂复合二氧化硅粒子制备步骤，所述含有疏水性部分的添加剂包括用于增加要通过所述表面活性剂形成的胶束的体积的疏水性部分；和将所述二氧化硅源加入至所述表面活性剂复合二氧化硅粒子从而用二氧化硅覆盖每个核粒子的外周的二氧化硅覆盖步骤。可以抑制基体材料至所述中孔中的穿透。
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公开(公告)号：CN103298740B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180063022.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C01B37/00
CPC classification number: C08K9/10 , C01B37/00 , C08K3/36 , H01L51/5275 , Y10T428/2993
Abstract: 本发明的目的是提供具有功能如低折射率(低n)、低介电常数(低k)和低热导率且也可以赋予模制制品更高的强度的中孔二氧化硅粒子。该中孔二氧化硅粒子各自包含核粒子，所示核粒子包含第一中孔，其中所述核粒子的外周被二氧化硅覆盖。优选地，在通过二氧化硅覆盖形成的所述二氧化硅覆盖的部分中设置小于所述第一中孔的第二中孔。所述的中孔二氧化硅粒子通过以下方式制备：将表面活性剂、水、碱、含有疏水性部分的添加剂和二氧化硅源混合从而制备表面活性剂复合二氧化硅粒子的表面活性剂复合二氧化硅粒子制备步骤，所述含有疏水性部分的添加剂包括用于增加要通过所述表面活性剂形成的胶束的体积的疏水性部分；和将所述二氧化硅源加入至所述表面活性剂复合二氧化硅粒子从而用二氧化硅覆盖每个核粒子的外周的二氧化硅覆盖步骤。可以抑制基体材料至所述中孔中的穿透。
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公开(公告)号：CN102574693A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080035044.8
申请日：2010-05-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C01B37/00
CPC classification number: C01B33/193 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/64 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C03C17/007 , C03C2217/42 , C03C2217/425 , C03C2217/478 , C03C2217/732 , C09C1/30 , G02B2207/107 , Y10T428/2982
Abstract: 公开了能够提供在更高强度与诸如低反射率(低-n)、低介电常数(低-k)和低热导率之类的性能之间具有良好平衡的模制品的中孔二氧化硅细颗粒。该中孔二氧化硅细颗粒通过包括表面活性剂复合二氧化硅细颗粒的制备步骤和将表面活性剂复合二氧化硅细颗粒制成中孔二氧化硅细颗粒的方法制备。在二氧化硅细颗粒的制备步骤中，将表面活性剂、水、碱、含疏水部分的添加剂(包括用于增大胶束体积的疏水部分)与二氧化硅源混合，由此制备表面活性剂复合二氧化硅细颗粒。在中孔颗粒形成步骤中，将表面活性剂复合二氧化硅细颗粒与酸和有机硅化合物混合，由此除去表面活性剂复合二氧化硅细颗粒中所含的表面活性剂和含疏水部分的添加剂，并且在每个二氧化硅细颗粒表面提供有机官能团。每个中孔二氧化硅细颗粒都包括在内部的中孔，并且在表面被有机官能团改性。
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公开(公告)号：CN102574693B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080035044.8
申请日：2010-05-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C01B37/00
CPC classification number: C01B33/193 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/64 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C03C17/007 , C03C2217/42 , C03C2217/425 , C03C2217/478 , C03C2217/732 , C09C1/30 , G02B2207/107 , Y10T428/2982
Abstract: 公开了能够提供在更高强度与诸如低反射率(低-n)、低介电常数(低-k)和低热导率之类的性能之间具有良好平衡的模制品的中孔二氧化硅细颗粒。该中孔二氧化硅细颗粒通过包括表面活性剂复合二氧化硅细颗粒的制备步骤和将表面活性剂复合二氧化硅细颗粒制成中孔二氧化硅细颗粒的方法制备。在二氧化硅细颗粒的制备步骤中，将表面活性剂、水、碱、含疏水部分的添加剂(包括用于增大胶束体积的疏水部分)与二氧化硅源混合，由此制备表面活性剂复合二氧化硅细颗粒。在中孔颗粒形成步骤中，将表面活性剂复合二氧化硅细颗粒与酸和有机硅化合物混合，由此除去表面活性剂复合二氧化硅细颗粒中所含的表面活性剂和含疏水部分的添加剂，并且在每个二氧化硅细颗粒表面提供有机官能团。每个中孔二氧化硅细颗粒都包括在内部的中孔，并且在表面被有机官能团改性。
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公开(公告)号：CN109843804B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201780063353.8
申请日：2017-10-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 本发明提供能够不使用有机结构导向剂地进行制造、且多价金属阳离子交换能优异的丝光沸石型沸石。本发明的丝光沸石型沸石在骨架中含有硅、2价金属M以及铝，且在Na型的状态下具有下述的原子比。丝光沸石型沸石优选在Na型或者H型的状态下BET比表面积为250m2/g以上且500m2/g以下，微孔容积为0.07cc/g以上且0.25cc/g以下。Si/(M+Al)＝5以上且10以下、M/(M+Al)＝0.1以上且小于1、Na/(M+Al)＝1以上且小于2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109843804A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780063353.8
申请日：2017-10-11
Applicant: 三井金属矿业株式会社 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 本发明提供能够不使用有机结构导向剂地进行制造、且多价金属阳离子交换能优异的丝光沸石型沸石。本发明的丝光沸石型沸石在骨架中含有硅、2价金属M以及铝，且在Na型的状态下具有下述的原子比。丝光沸石型沸石优选在Na型或者H型的状态下BET比表面积为250m2/g以上且500m2/g以下，微孔容积为0.07cc/g以上且0.25cc/g以下。Si/(M+Al)＝5以上且10以下、M/(M+Al)＝0.1以上且小于1、Na/(M+Al)＝1以上且小于2。
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公开(公告)号：CN107428549A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680009218.0
申请日：2016-02-08
Applicant: UNIZEO株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C01B39/46
Abstract: 本发明提供一种可尽可能减小环境负荷的作为晶种添加法的β型沸石的制造方法。本发明的β型沸石的制造方法包括将含有二氧化硅源、氧化铝源、碱源及水的反应混合物与包含β型沸石的晶种混合并进行加热的工序。使用如下β型沸石作为所述晶种，所述β型沸石是不使用有机结构导向剂而合成，且在由激光衍射散射式粒度分布测定法所得的粒径分布中，粒径10μm以下的粒子以体积基准计为90％以上。
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公开(公告)号：CN104203824B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201280067677.6
申请日：2012-11-22
Applicant: UniZeo株式会社 , 国立大学法人横浜国立大学 , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: B01J29/7007 , B01J29/70 , B01J35/002 , B01J2229/186 , B01J2229/36 , B01J2229/37 , C01B39/026 , C01B39/46 , C01B39/48 , C07B61/00 , C07C4/06 , C07C11/06 , C10G11/00 , C10G11/05 , C10G11/10 , C10G2400/20
Abstract: 本发明提供催化剂活性高、且难以失活的β型沸石及其制造方法、MSE型沸石及其制造方法、以及石蜡的接触分解催化剂。本发明的β型沸石的特征在于：具有大致八面体的形状，Si/Al比为5以上，且为质子型。优选为Si/Al比为40以上。所述β型沸石优选为借由以下方式而得：借由离子交换将不使用结构导向剂而合成的原料β型沸石形成为铵型，接着将所述β型沸石暴露于水蒸气中，并将暴露后的所述β型沸石供于酸处理。
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公开(公告)号：CN105967205A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610292264.8
申请日：2011-06-28
Applicant: UniZeo株式会社 , 国立大学法人东京大学
Inventor： 板桥庆治 , 大久保达也 , 上村佳大 , 帕拉尼·依兰戈万·尚穆根
CPC classification number: C01B39/46 , C01B39/02 , C01B39/026 , C01B39/26 , C01B39/36 , C01B39/365 , C01B39/38 , C01B39/42 , C30B5/00 , C30B29/34 , C01P2002/72 , C01P2002/86 , C01P2006/12
Abstract: 本发明提供一种沸石的制造方法，所述沸石的制造方法为无须使用有机结构导向剂(有机SDA)而可容易且廉价地制造目标沸石的方法。该方法是使包含氧化硅源、氧化铝源、碱源及水的凝胶与沸石晶种反应，制造具有与该沸石同种骨架结构的沸石的方法。所述凝胶使用如下组成的凝胶：在仅仅由该凝胶而合成沸石时，所合成的该沸石成为包含目标沸石的复合结构单元中的至少一种作为其复合结构单元的沸石。
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公开(公告)号：CN105800644A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610136620.7
申请日：2012-01-17
Applicant: UniZeo株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C01B39/42
Abstract: 本发明提供一种MTW型沸石的制造方法。本发明是一种使包含二氧化硅源、氧化铝源、碱源及水的反应混合物、与沸石的晶种反应而制造MTW型沸石的方法。所述反应混合物是使用在仅由所述反应混合物合成沸石时，所合成的所述沸石包含MFI型沸石的组成的反应混合物。所述晶种是使用SiO2/Al2O3比为8～50、且不含结构导向剂的β型沸石。以相对于所述反应混合物中的二氧化硅成分0.1质量％～20质量％的比例添加所述晶种至所述反应混合物中，将添加了所述晶种的所述反应混合物在100℃～200℃下密闭加热。所述方法不使用结构导向剂且可以廉价地制造MTW型沸石。
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