公开(公告)号：CN103262240A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201280002050.2

申请日：2012-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛良男 ,  三河巧 ,  高桥一郎

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/1608 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明的非易失性存储元件的制造方法包括如下工序：形成第一下部电极层（108）、电流控制层（109）和第一上部电极层（110），并在第一上部电极层（110）上形成第二下部电极层（311）、电阻变化层（112）及第二上部电极层（313）的工序；对第二上部电极层（313）、电阻变化层（112）和第二下部电极层（311）进行图案形成的工序；使用蚀刻第二下部电极层（311）的速度至少比第二上部电极层（313）及电阻变化层（112）慢的蚀刻，将第二下部电极层（311）作为掩膜，对第一上部电极层（110）、电流控制层（109）和第一下部电极层（108）进行图案形成来形成电流控制元件（142），并形成具有比电流控制元件（142）小的面积的电阻变化元件的工序。

公开(公告)号：CN103650142A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280001934.6

申请日：2012-01-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 魏志强 ,  高木刚 ,  三谷觉 ,  川岛良男 ,  高桥一郎

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种电阻变化元件，具有第1电极（107）、第2电极（105）、以及介于第1、第2电极（107、105）间并与第1、第2电极（107、105）相接而设置、基于施加的电信号而电阻值可逆地变化的电阻变化层（106）；电阻变化层（106）通过由氧不足型的第1金属氧化物构成的第1电阻变化层（106b）、和由氧不足度比第1电阻变化层（106b）的氧不足度小的第2过渡金属氧化物构成的第2电阻变化层（106a）的层叠构造而构成；第2电极（105）在与第2电阻变化层（106a）之间的界面处仅具有一个针状部；第2电阻变化层（106a）介于第1电阻变化层（106b）与第2电极（105）之间并与第1电阻变化层（106b）和第2电极（105）相接、并且覆盖上述针状部而设置。