公开(公告)号：CN102473018A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034104.4

申请日：2010-01-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田纹子 ,  西川香 ,  藤山博邦

IPC: G05F3/30

CPC classification number: G05F3/30

Abstract: 本发明提供一种基准电压生成电路。在利用了二极管的基准电压生成电路中，能够更自由地调整其温度特性。调整电流供给部(10)向第1及第2二极管(D1、D2)中的一个二极管的阳极供给用于调整二极管电流的调整电流(Iref2)。调整电流供给部(10)能够变更调整电流(Iref2)的大小，并且能够生成与另一个二极管的二极管电流成比例关系的电流来作为调整电流(Iref2)。

公开(公告)号：CN101467251A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780004702.5

申请日：2007-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山崎贤司 ,  山田裕 ,  森田纹子 ,  松本幸子

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49174 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：在上表面形成有第一电极焊盘的第一半导体芯片；设置在第一半导体芯片的上方且在上表面形成有第二电极焊盘的第二半导体芯片；设置在第一半导体芯片和上述第二半导体芯片的外侧的导电膜；以及导线。第一电极焊盘和第二电极焊盘通过导电膜由导线电连接。

公开(公告)号：CN100356543C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200410078671.6

申请日：2004-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川西景 ,  岛津宜之 ,  森田纹子

IPC: H01L21/66 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G11C29/00 ,  G01R31/28

CPC classification number: H01L27/0251 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/0203 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T307/50 ,  Y10T307/858 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。向电源分离单元(250)追加与栅极被固定的电源间保护晶体管(201、202)并联的电源间连接开关(211、212)。电源间连接开关(211、212)，在通过外部控制端子(230)从外部输入的控制信号(220)的作用下，使多个电源间电性地连接或分离。在WLBI(晶片级预老化)时，多个电源间被所述电源间连接开关(211、212)连接，所以向特定输入端子外加电压时，也就向其它的电源端子盘外加电压。进而，在WLBI后，电源间被分离，在插入电源间的电源间保护晶体管的作用下，释放浪涌等异常电压产生的电荷，防止半导体装置的击穿。

公开(公告)号：CN1604297A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410078671.6

申请日：2004-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川西景 ,  岛津宜之 ,  森田纹子

IPC: H01L21/66 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G11C29/00 ,  G01R31/28

CPC classification number: H01L27/0251 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/0203 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T307/50 ,  Y10T307/858 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。向电源分离单元(250)追加与栅极被固定的电源间保护晶体管(201、202)并联的电源间连接开关(211、212)。电源间连接开关(211、212)，在通过外部控制端子(230)从外部输入的控制信号(220)的作用下，使多个电源间电性地连接或分离。在WLBI(晶片级预老化)时，多个电源间被所述电源间连接开关(211、212)连接，所以向特定输入端子外加电压时，也就向其它的电源端子盘外加电压。进而，在WLBI后，电源间被分离，在插入电源间的电源间保护晶体管的作用下，释放浪涌等异常电压产生的电荷，防止半导体装置的击穿。