公开(公告)号：CN101622704A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880003256.0

申请日：2008-09-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 今中刚 ,  岛津宜之

IPC: H01L21/822 ,  H03K17/22 ,  H01L27/04

CPC classification number: H03K19/1732 ,  G01R31/3185

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在半导体器件(10)中，向第一衬垫(101)和第二衬垫(102)分别提供外部电源电压和接地电位。当提供给第一衬垫(101)的电压达到比该半导体器件(10)通常工作时提供给第一衬垫(101)的电压高的预定电压时，信号发生电路(12)输出预定的逻辑电平信号。利用本发明，能够在半导体器件内部以任意定时生成可用作复位信号或模式信号的信号来削减半导体器件的衬垫数。

公开(公告)号：CN100356543C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200410078671.6

申请日：2004-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川西景 ,  岛津宜之 ,  森田纹子

IPC: H01L21/66 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G11C29/00 ,  G01R31/28

CPC classification number: H01L27/0251 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/0203 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T307/50 ,  Y10T307/858 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。向电源分离单元(250)追加与栅极被固定的电源间保护晶体管(201、202)并联的电源间连接开关(211、212)。电源间连接开关(211、212)，在通过外部控制端子(230)从外部输入的控制信号(220)的作用下，使多个电源间电性地连接或分离。在WLBI(晶片级预老化)时，多个电源间被所述电源间连接开关(211、212)连接，所以向特定输入端子外加电压时，也就向其它的电源端子盘外加电压。进而，在WLBI后，电源间被分离，在插入电源间的电源间保护晶体管的作用下，释放浪涌等异常电压产生的电荷，防止半导体装置的击穿。

公开(公告)号：CN1604297A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410078671.6

申请日：2004-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川西景 ,  岛津宜之 ,  森田纹子

IPC: H01L21/66 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G11C29/00 ,  G01R31/28

CPC classification number: H01L27/0251 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/0203 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T307/50 ,  Y10T307/858 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。向电源分离单元(250)追加与栅极被固定的电源间保护晶体管(201、202)并联的电源间连接开关(211、212)。电源间连接开关(211、212)，在通过外部控制端子(230)从外部输入的控制信号(220)的作用下，使多个电源间电性地连接或分离。在WLBI(晶片级预老化)时，多个电源间被所述电源间连接开关(211、212)连接，所以向特定输入端子外加电压时，也就向其它的电源端子盘外加电压。进而，在WLBI后，电源间被分离，在插入电源间的电源间保护晶体管的作用下，释放浪涌等异常电压产生的电荷，防止半导体装置的击穿。