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公开(公告)号：CN1146060C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN97190741.2
申请日：1997-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/26 , H01L31/1804 , H01L33/0054 , H01L33/18 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T428/25 , Y10T428/258
Abstract: 一种光电子材料，它包括具有可控电学特性的均匀介质；以及分布于该介质中且平均微粒尺寸为100nm或更小的半导体特细微粒，本发明还涉及使用该材料的应用器件。本发明也涉及光电子材料的制造方法，通过用激光辐射置于处在低压惰性气体环境下的反应室中一种半导体材料的第一靶以及置于该反应室中具有可控电学特性的第二靶，在置于反应室中的衬底上，凝聚/生长从第一靶烧蚀的半导体材料，以集中成为平均微粒尺寸为100nm或更小的特细微粒。
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公开(公告)号：CN1109214A
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：CN94117305.4
申请日：1994-10-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C14/0073 , C23C14/564 , H01L21/76843
Abstract: 在真空室内连续地供给半导体衬底，在该半导体衬底上形成具有欧姆特性并且是低电阻的接触部件。在配置了钛靶2的真空室1内供给氩气并在硅衬底3上淀积钛膜5，之后，在真空室1内供给掺氮的氩气并在钛膜5上淀积氮化钛膜6。此后，在真空室1内再次供给氩气，在除去附着在靶2表面的氮的同时在氮化钛膜6上淀积钛和氮的混合层9。
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公开(公告)号：CN1516239A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03103491.8
申请日：1997-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/203 , H05B33/00 , H01L33/00 , H01L31/08
CPC classification number: H01L33/26 , H01L31/1804 , H01L33/0054 , H01L33/18 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T428/25 , Y10T428/258
Abstract: 一种光电子材料，它包括具有可控电学特性的均匀介质；以及分布于该介质中且平均微粒尺寸为100nm或更小的半导体特细微粒，本发明还涉及使用该材料的应用器件。本发明也涉及光电子材料的制造方法，通过用激光辐射置于处在低压惰性气体环境下的反应室中一种半导体材料的第一靶以及置于该反应室中具有可控电学特性的第二靶，在置于反应室中的衬底上，凝聚/生长从第一靶烧蚀的半导体材料，以集中成为平均微粒尺寸为100nm或更小的特细微粒。
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公开(公告)号：CN1196828A
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：CN97190741.2
申请日：1997-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下电子工业株式会社
IPC: H01L21/203 , H05B33/00 , H01L33/00 , H01L31/08
CPC classification number: H01L33/26 , H01L31/1804 , H01L33/0054 , H01L33/18 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T428/25 , Y10T428/258
Abstract: 一种光电子材料,它包括具有可控电学特性的均匀介质;以及分布于该介质中且平均微粒尺寸为100nm或更小的半导体特细微粒,本发明还涉及使用该材料的应用器件。本发明也涉及光电子材料的制造方法,通过用激光辐射置于处在低压惰性气体环境下的反应室中一种半导体材料的第一靶以及置于该反应室中具有可控电学特性的第二靶,在置于反应室中的衬底上,凝聚/生长从第一靶烧蚀的半导体材料,以集中成为平均微粒尺寸为100nm或更小的特细微粒。
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