公开(公告)号：CN119233114A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411307410.0

申请日：2024-09-19

Applicant: 杭州电子科技大学 ,  中国电子科技集团公司第四十四研究所 ,  天津大学

Inventor： 戴凌涛 ,  张钰 ,  林桢威 ,  徐兵 ,  李毅强 ,  刘昌举 ,  徐江涛

IPC: H04N25/711 ,  H04N17/00

Abstract: 本发明公开了兼容CMOS工艺的TDI CCD像素电荷转移效率表征方法，该方法首先基于同一TDI CCD‑ON‑CMOS单级器件在有光照条件与无光照条件下，计算有效光生电荷数与第三个电势阱中原先存有的光生电荷数。其次在电荷完成从第二个电势阱转移到第三个栅极下光电二极管PD的势阱中时，计算得到转移后总的光生电荷数。最后基于有效光生电荷数、第三个电势阱中原先存有的光生电荷数和转移后总的光生电荷数，得到有效转移电荷数，有效转移电荷数除以有效光生电荷数，得到电荷转移效率CTE。本发明能够减少甚至消除噪声电荷在计算CTE参数时对精度的影响，提高CTE计算精度。

公开(公告)号：CN117832242A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410049115.3

申请日：2024-01-12

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵品园 ,  张钰 ,  林桢威 ,  戴凌涛

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/771

Abstract: 本发明公开了一种梯度埋沟型传输栅CMOS图像传感器像素，其中浅沟槽隔离位于衬底最左端，自钳位光电二极管位于浅沟槽隔离右侧，自钳位光电二极管与浮动扩散节点均位于衬底上，传输栅固定于衬底上表面，正对自钳位光电二极管与浮动扩散节点之间；自钳位光电二极管通过传输栅与浮动扩散节点连接，浮动扩散节点另一端连接复位管的源极和源跟随器的栅极；源跟随器和复位管的漏极均连接在偏置电压VDD上，源跟随器的源极连接行选管的漏极，行选管的源极即为信号的列级输出。本发明有效减少浮动扩散节点区域电子的回流，削弱图像拖影现象，提升电荷转移效率。