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公开(公告)号：CN119233114A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411307410.0
申请日：2024-09-19
Applicant: 杭州电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第四十四研究所 , 天津大学
IPC: H04N25/711 , H04N17/00
Abstract: 本发明公开了兼容CMOS工艺的TDI CCD像素电荷转移效率表征方法，该方法首先基于同一TDI CCD‑ON‑CMOS单级器件在有光照条件与无光照条件下，计算有效光生电荷数与第三个电势阱中原先存有的光生电荷数。其次在电荷完成从第二个电势阱转移到第三个栅极下光电二极管PD的势阱中时，计算得到转移后总的光生电荷数。最后基于有效光生电荷数、第三个电势阱中原先存有的光生电荷数和转移后总的光生电荷数，得到有效转移电荷数，有效转移电荷数除以有效光生电荷数，得到电荷转移效率CTE。本发明能够减少甚至消除噪声电荷在计算CTE参数时对精度的影响，提高CTE计算精度。
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公开(公告)号：CN115455601A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211170270.8
申请日：2022-09-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及渐成与同廓组合式榫槽刀具刃形空间曲线参数化设计方法，包括以下步骤：步骤一、拍摄榫槽图像；步骤二、榫槽形状曲线的离散；步骤三、计算控制点后拟合逼近曲线；步骤四、同廓式刀齿空间曲线设计：步骤五、渐成式刀齿空间曲线设计；步骤六、榫槽拉刀刀齿空间曲线输出。本发明对榫槽拉削刀具空间曲线参数化设计，降低榫槽拉削刀具设计的难度；刀刃空间曲线的参数化，实现参数选值的统一，提升拉刀设计的稳定性，拉刀渐成式和同廓式结合的过度边界和方法的提出，解决难以确定渐成同廓的过度方法的问题，降低设计难度；同时参数化的设计，解决传统设计方法周期长、效率低的问题，提高拉刀的设计效率、降低拉刀设计和制造的成本。
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公开(公告)号：CN115994422A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211562368.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及基于拉削性能的拉刀刃形空间曲线参数化设计方法，包括以下步骤：步骤一、输入榫槽轮廓控制点数据；步骤二、拉刀数据的获取和相关系数的计算；步骤三、以细节长度I代入公式通过判断条件确定hmin；步骤四、根据单位微元切削力限制条件，确定是否调整微元细节长度I：步骤五、进行第Z个齿中的K组离散点递推计算；步骤六、根据每个刀齿的总体受力，确定是否结束空间曲线的设计。本发明是一种将榫槽空间曲线参数与微元切削力相关联，从而求解刀具刃形设计的切削力约束指标，是一种通过微元切削力模型逆求解同廓刃形特征点坐标的设计方法，是一种通过循环向内递进计算每齿刃形空间曲线的参数化设计方法。
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公开(公告)号：CN119583983A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411683431.2
申请日：2024-11-22
Applicant: 天津大学
IPC: H04N25/70 , H04N25/703
Abstract: 本发明公开一种动态视觉传感器像素中光接收级电路的外部偏置像素结构，外部偏置像素结构中包含光电二极管、对数管、放大管、开关管、偏置管；偏置管、开关管和放大管依次串联，其中偏置管的源极与电源连接，偏置管的漏极与开关管的漏极连接，开关管的源极与放大管的漏极连接，放大管的源极接地；偏置管的栅极与Vbias信号连接，开关管的栅极与Vcpr信号连接，开关管的源极和放大管的漏极之间还与对数管的栅极连接，对数管漏极与电源连接，对数管的源极与光电二极管的负极连接，光电二极管的正极接地，对数管的源极与光电二极管的负极之间还与放大管的栅极连接。
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公开(公告)号：CN118354215A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410507596.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 天津大学
IPC: H04N25/571 , H04N25/772
Abstract: 本发明公开基于单斜坡模数转换器结构的高照度成像方法，基于CMOS图像传感器实现，所述CMOS图像传感器包括有4T有源像素、电流舵DAC、比较器、锁存器、计数器；其中，电流舵DAC、比较器、计数器共同组成SSADC结构，在单斜坡阶段开始曝光，并通过比较光电二极管的线性响应信号与斜坡信号来动态调整ADC比较器的翻转点，实现了器件对强光的非线性响应。本发明方法通过调整像素曝光和ADC比较器的翻转点，实现了器件对强光的非线性响应，无需改变器件的基本结构即可有效进行强光探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118042301A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410045685.5
申请日：2024-01-12
Applicant: 天津大学
IPC: H04N25/589 , H04N25/65
Abstract: 本发明提供扩展像素动态范围的方法、图像传感器、电子设备及可读存储介质。所述扩展像素动态范围的方法，是基于LOFIC像素结构的长短曝光时序实现，通过曝光期间复位晶体管RST的开关状态，控制LOFIC电容的复位与电荷积累两种状态，在单次曝光中获得长短两种曝光时间的信号，避免了传统长曝光和短曝光分开进行而造成的运动伪影现象，在一次读出中实现两种信号的相关双采样操作，以消除复位噪声。本发明不增加额外晶体管和曝光时间，在保留低光下的高转换增益的同时，扩展了高光下的动态范围。
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公开(公告)号：CN118018878A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410222112.5
申请日：2024-02-28
Applicant: 天津大学
IPC: H04N25/78
Abstract: 本发明公开基于DCG技术的延时读出电路，采用单斜模数转换器进行读出，设置一套ADC分别对LCG信号和HCG信号读出，在像素输出信号到比较器COMP的路径之前设置两条通路，在一条通路增加一个开关电容放大器，用来读出LCG信号，在另一条通路上设置一个开关，用来读出HCG信号。本发明将传统DCG读出时序LR‑HR‑HS‑LS转化为HR‑HS‑LR‑LS，能够解决传统DCG技术量化读出时复位电压差产生的量化死区问题，同时相对于传统DCG读出电路需要双通道读出链的结构，只需单通道读出链就可以完成DCG时序的量化，节省了读出电路的面积和功耗。
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公开(公告)号：CN115866426B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211518474.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 天津大学
IPC: H04N25/77
Abstract: 本发明公开了一种基于横向溢流集成电容的多模式复用像素结构，包括源极跟随器和行选择管，一号传输栅一端连接至浮动扩散节点，另一端经一号光电二极管接地，二号传输栅一端连接至浮动扩散节点，另一端经二号光电二极管接地，三号传输栅一端连接至浮动扩散节点，另一端经三号光电二极管接地，四号传输栅一端连接至浮动扩散节点，另一端经四号光电二极管接地；复位管一端连接至浮动扩散节点，另一端连接电压源；横向溢出集成电容一端接地，另一端经依次串联的电容控制栅、电荷存储栅、浮动扩散栅连接至浮动扩散节点。本发明经过一次曝光即可获得微弱光、中强度光和高强度光场景的信息，获得高分辨率和高动态范围的成像质量。
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公开(公告)号：CN111488764B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201910076379.7
申请日：2019-01-26
Applicant: 天津大学青岛海洋技术研究院
Abstract: 一种面向ToF图像传感器的人脸识别方法，首先对于来自可见光图像传感器的人脸图像用一个多层神经网络进行特征提取，获得其特征的高级表达，进而进行人脸识别，在这个过程中要对人脸区域进行定位，获得人脸区域的框图面积；然后同时应用改进yolo神经网络对来自红外的人脸图像进行目标检测，获得框图表达；将二者框图进行IOU对比，从而判断两个目标是否一致，进而达到对假冒人脸的判断。该算法充分考虑双摄像头系统的特性，针对两种摄像头获得的数据进行处理，保障了一定的可行性；算法基于基于VGG16架构进行改进，使之具备目标检测的功能；最终采用IOU进行对比，将二者信息融合。
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公开(公告)号：CN117637786A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311628121.6
申请日：2023-11-30
Applicant: 天津大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种异形多栅的SF栅极结构，是异形结构，源极侧栅与漏极侧栅呈现出差异化结构，为异形栅结构，源极一侧栅的宽度小，漏极一侧栅的宽度大，以降低SF的RTS噪声；异形多栅的栅极结构分为不同功能，称为功能栅，其中包括调制栅和偏置栅，调制栅连接FD节点，偏置栅连接偏置电压。按照靠近漏极的程度为偏置栅做等级划分，其中，靠近漏极的偏置栅为高势偏置栅，远离漏级的偏置栅为低势偏置栅。本发明的SF异形多栅结构，相比与传统SF矩形栅，能实现FD节点寄生电容的大幅度减小，从而提升转换增益，同时也能减小SF的1/f噪声和RTS噪声。
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